栅极电压

作品数：69被引量：95H指数：6
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低功耗热发射极晶体管
《物理》2024年第12期836-838,共3页刘驰 王鑫哲 孙东明 
集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。沿着摩尔定律[1]发展,现代集成电路的集成度不断提升,目前单个芯片上已经可以集成数百亿个晶体管[2]。然而,晶体管的功耗问题成为了限制集成电路进一步发展的主要瓶颈[3...
关键词：亚阈值摆幅 场效应管 集成电路 玻尔兹曼分布 摩尔定律 栅极电压 电流变化 现代信息技术 
砷化镓纳米结中光电响应的第一性原理计算模拟
《上海大学学报（自然科学版）》2024年第4期751-757,共7页曹睿 陈竞哲 
国家自然科学基金资助项目(11404206)。
作为常见的高迁移率直接带隙半导体,砷化镓(gallium arsenide,GaAs)的光电响应性质一直是学界研究的焦点.针对特殊结构半导体器件的光电响应方式理论上研究一般采用宏观有限元方法结合半经典理论的模拟.随着器件尺寸的小型化,微观结构...
关键词：砷化镓 纳米结 非平衡态格林函数 化学掺杂 栅极电压 
基于电参数的IGBT开关瞬态过程耦合关系分析被引量：2
《高电压技术》2024年第3期1252-1263,共12页李雨泽 张秀敏 袁文迁 宋鹏 季一润 焦超群 
国家自然科学基金(52377001);国家电网公司总部科技项目(5500-202114133A-0-0-00)。
IGBT开关瞬态电流变化过程包括开通电流上升过程和关断电流下降过程,由于功率器件的非线性特征及其与电路参数的紧密耦合,造成瞬态过程电磁现象复杂。重点研究了瞬态过程电压电流参数的耦合规律,分析了耦合关系对IGBT工作特性的影响。首...
关键词：栅极电压 集射极电压 电流上升过程 电流下降过程 寄生电感 耦合关系 
一种基于开通栅极电压的新型IGBT键合线老化监测方法
《中国电机工程学报》2024年第1期244-254,I0020,共12页柴育恒 葛兴来 张林林 王惠民 张艺驰 邓清丽 
高铁联合基金重点项目(U1934204)。
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistors,IGBT)的可靠运行是牵引变流器安全和性能的重要保障。键合线老化作为IGBT的一种常见失效模式,对其进行监测具有重要意义。文中提出一种基于开通栅极电压ugem的键合线老化监测方...
关键词：绝缘栅双极型晶体管模块 键合线老化 开通栅极电压 状态监测 
碳化硅MOSFET基于栅压延时关断方法的结温监测技术研究被引量：1
《机车电传动》2023年第5期145-151,共7页周维 王勇志 魏晓慧 郭维立 何勇 
湖南省重点研发计划项目(2022GK2006)。
准确监测功率器件结温一直是器件厂商及应用端非常重要的一项工作。主流的温敏电参数法由于响应速度快、测量准确,被广泛地应用于各个领域。目前在硅基器件应用上已相对成熟,然而由于碳化硅器件的高开关特性及栅极氧化层缺陷,采用电参...
关键词：栅极电压延时 温敏电参数 结构函数 碳化硅MOSFET 热阻 
弗兰克-赫兹实验中电流变化的研究被引量：1
《大学物理实验》2023年第5期29-33,71,共6页张顺 易庭丰 吕宪魁 
高等学校教学研究项目(DWJZW202235xn)。
弗兰克-赫兹实验对于学生学习和理解量子现象有重要作用,通过理论推导和实验,研究电子在F-H管中的运动情况;分析减速电压、加速电压对电流强度的影响;第一栅极电压对电子能量的影响,通过实验研究栅极电压、时间步距对电流强度的作用情...
关键词：弗兰克-赫兹实验 电子振荡 减速电压 栅极电压 电流变化 
吖啶类衍生物的热电材料性能研究
《唐山师范学院学报》2023年第3期27-30,共4页曾凯 陈志生 林平东 于毅鹏 郑玉玲 
利用背栅调控技术实现了单分子尺度下感应热电势的直接测量。实验观测到吖啶类衍生物自由基分子在费米能级处热电势的变化,在栅极电压从-2 V变化到+2 V的过程中,分子热电势逐渐从正值变为了负值,表明主导分子电输运的轨道由已占有电子...
关键词：热电材料 热电势 热电器件 费米能级 栅极电压 
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究被引量：6
《中国电机工程学报》2022年第21期7922-7933,共12页李虹 邱志东 杜海涛 邵天骢 王作兴 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701);国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211);台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰 
变频空调直流外风机电控原理、外接启动改造与典型故障检修(下)
《家电维修》2022年第10期I0022-I0025,共4页张湘粤 
(上接10期专题)(2)自举升压电路原理如图6所示(见上期11页),为了避免上桥的驱动功率管得电后,由于+310V电压至U、V、W(W1与W2相接)后因比功率管栅极电压高,导致上桥功率管进入到截止状态。
关键词：变频空调 功率管 栅极电压 驱动功率 截止状态 电控原理 故障检修 
ADI ADuM4146米勒箝位的单/双电源高电压隔离SiC栅极驱动方案
《世界电子元器件》2022年第6期51-54,共4页
ADI公司的ADuM4146是款单通道栅极驱动器,专门针对驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化.ADI公司的iCoupler®技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离.ADuM4146包含米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现...
关键词：栅极驱动 双电源供电 电源关断 单电源 栅极电压 箝位 输出侧 
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