高深宽比

作品数：121被引量：300H指数：8
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：周勇朱荻丁桂甫曾永彬苑伟政更多>>
相关机构：上海交通大学中国科学院朗姆研究公司北京大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
高深宽比梳齿结构刻蚀工艺
《微纳电子技术》2025年第1期137-143,共7页康建波 商庆杰 宋洁晶 
梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题...
关键词：梳齿结构 电容加速度计 Bosch工艺 选择比 深宽比 侧壁倾角 
高深宽比粘接式歧管微通道换热器性能研究被引量：1
《合肥工业大学学报（自然科学版）》2024年第10期1321-1327,共7页马佳伟 叶斌 张忠政 高才 
国家重点研发计划资助项目(2020YFA0709703);安徽省高校自然科学基金重点资助项目(KJ2021A1457)。
半导体和其他微尺度电子技术的迅速发展导致芯片功率密度急剧增加,而功率的增加使电子设备的散热面临严峻挑战,微通道换热器则可以有效解决电子设备的散热问题。文章设计了一种微通道深宽比(aspect ratio,AR)高达10.5且单个歧管微通道...
关键词：微通道换热器 歧管结构 粘接式 芯片冷却 高热流密度 
飞秒激光在镍基合金上加工深宽比>20的直孔和倒锥孔被引量：1
《中国激光》2024年第18期124-132,共9页班铭霞 柴兆麟 王曼诗 张楠 刘冰 
国家自然科学基金(12374290)、开放项目(BEP21C003)。
镍基合金在高温环境下具有高强度、抗疲劳、抗蠕变和良好的耐腐蚀特性,是铸造航空发动机涡轮叶片的重要材料。下一代航空涡轮发动机的高进气温度(>2200℃)对叶片冷却效率提出了严苛的要求,直径≤100μm、深宽比>20的气膜冷却微孔是提升...
关键词：飞秒激光加工 高深宽比直孔和倒锥孔 旋转光束加工方法 镍基合金 
高深宽比硅通孔(TSV)电镀铜填充工艺研究
《功能材料与器件学报》2024年第4期219-224,共6页蒋闯 于仙仙 鲍正广 
上海市集成电路关键工艺材料重点实验室项目(No.00000000,No.1111111)
作为后摩尔定律时代重要的集成技术之一,硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术目前在工业界得到了迅速的发展和广泛的应用。三维(3D)-TSV是TSV技术的核心,也是实现芯片级互联的关键。本文通过对3D-TSV电镀添加剂含量、电镀时间、扩散时...
关键词：硅通孔 铜电镀工艺 添加剂 化学机械抛光 
紫外纳秒激光加工高深宽比且高一致性微槽的研究被引量：2
《机电工程技术》2024年第8期156-160,共5页祝绍康 史雪松 徐龙飞 徐学锋 
国家自然科学基金资助项目(51575054,51527901)。
高深宽比微槽广泛应用于生物学以及电子学等各领域。然而,在制备高深宽比微槽时,微槽的一致性仍然是一个技术上的难题。通过一种新颖的多次扫描技术,利用355纳米纳秒激光成功制备了同时具有高深宽比和高一致性的微槽。研究了脉冲能量、...
关键词：紫外纳秒激光 高深宽比 一致性 微槽 
高深宽比硅孔溅射铜种子层工艺的探索与研究
《真空》2024年第4期1-5,共5页付学成 刘民 张笛 程秀兰 王英 
上海市科委项目(22501100800);上海交通大学决策咨询课题(JCZXSTA2022-02)。
硅通孔技术(TSV)是当前非常热门的高密度封装技术,但由于常规薄膜沉积技术很难在高深宽比的硅孔内沉积铜、钨等金属种子层,硅通孔技术中存在深硅孔金属化困难的工艺问题。通过对倾斜溅射时铜原子二维非对心碰撞前后入射角度的变化关系...
关键词：硅通孔技术 多靶共焦溅射 铜种子层 
集成电路互连微纳米尺度硅通孔技术进展
《电子与封装》2024年第6期109-118,共10页黎科 张鑫硕 夏启飞 钟毅 于大全 
国家自然科学基金(62104206);中央高校基本科研业务费专项资金(20720220072)。
集成电路互连微纳米尺度硅通孔(TSV)技术已成为推动芯片在“后摩尔时代”持续向高算力发展的关键。通过引入微纳米尺度高深宽比TSV结构,2.5D/3D集成技术得以实现更高密度、更高性能的三维互连。同时,采用纳米TSV技术实现集成电路背面供...
关键词：先进互连技术 2.5D/3D芯粒集成 背面供电 高深宽比TSV 
面向高深宽比微细嵌入式金属网格结构的选择性镀铜工艺
《微纳电子技术》2024年第5期149-156,共8页胡睿 潘艳桥 杨翊 王宝丽 
国家自然科学基金(11932009,52175536);智能制造装备与技术全国重点实验室开放课题基金(IMETKF2023010)。
高深宽比微细嵌入式金属网格结构具有出色的光电性能和机械稳定性,可广泛应用于柔性触摸/显示器、太阳能电池、智能窗户等领域,但是传统的制备方法存在难以形成高深宽比结构、分辨率不足或材料利用率低等问题。借助电流体喷墨打印高分...
关键词：嵌入式金属网格 电流体喷墨打印 选择性镀铜 透过率 高深宽比 
微模具重复利用的高深宽比铜微结构微电铸复制技术
《微纳电子技术》2024年第4期162-169,共8页苏少雄 孙云娜 宋嘉诚 吴永进 姚锦元 丁桂甫 
国家自然科学基金项目(62174108)。
针对紫外线光刻、电铸成型和注塑(UV-LIGA)工艺的去胶难题,提出了一种以脱模代替去胶的改良工艺,用于批量制造高深宽比铜微结构。该工艺以可重复利用的硅橡胶软模具代替传统的SU-8光刻微模具,采用硅通孔(TSV)镀铜技术进行微电铸填充,然...
关键词：紫外线光刻、电铸成型和注塑(UV-LIGA)工艺 硅橡胶模具 硅通孔(TSV)镀铜 脱模 模具重复利用 
3DNAND存储芯片高深宽比刻蚀工艺对惰性气体需求研究
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2024年第2期0185-0189,共5页张丹扬 程星华 白帆 宋恺 
随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占...
关键词：3D NAND 存储芯片 高深宽比刻蚀 堆叠层数 惰性气体 
全选清除导出
共13页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部