NAND

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包含偏硅酸影响的3D NAND磷酸湿法刻蚀动力学
《化工学报》2025年第2期645-653,共9页彭子林 周蕾 邓庆航 叶光华 周兴贵 
国家自然科学基金项目(22378115)。
以磷酸为刻蚀剂选择性刻蚀Si_(3)N_(4)和SiO_(2)堆叠结构中的Si_(3)N_(4),是3D NAND闪存芯片制造过程中最关键的步骤之一。随着3D NAND存储单元堆叠层数的不断升高,扩散限制越来越严重,刻蚀产物偏硅酸浓度梯度不断加大,致使刻蚀工艺面...
关键词：3D NAND闪存 湿法刻蚀 氮化硅 氧化硅 偏硅酸 化学反应 动力学 动力学模型 
NAND闪存存储系统中的LDPC码优化设计
《中国科学:信息科学》2025年第1期202-216,共15页周璇 马征 庞琦珂 唐小虎 
四川省自然科学基金重点项目(批准号:2022NSFSC0043);四川省科技计划(批准号:2023YFG0100)资助。
面对日益增长的大容量需求, NAND闪存技术不断进步并实现了一系列突破,然而,存储密度的不断提升也极大程度削弱了NAND闪存系统的抗干扰能力.因此,针对NAND闪存存储系统中的差错控制码进行优化设计成为一个重要课题.本文首先对NAND闪存...
关键词：NAND闪存系统 低密度奇偶校验码 修正Student’s t模型 非对称密度进化算法 量化 
最大IPO折戟,日本半导体还有机会吗?
《看世界》2024年第23期80-83,共4页荣智慧 
一直专注NAND的铠侠也有市场需求,但需求主要来自智能手机、电脑,和目前企业级用户疯抢GPU、HBM的“量级”没法比。2024年日本最大IPO取消。也许推迟到11月,也许更晚。存储芯片制造商铠侠(Kioxia)以100亿美元的市场估值为目标。一旦启动。
关键词：存储芯片 NAND 智能手机 GPU 企业级用户 IPO 半导体 市场需求 
三星NAND材料价值链生变 将引入钼元素
《中国钼业》2024年第4期20-20,共1页
三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼(Mo)。消息人士称,三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺,并且计划2025年再引进20台此类设备。与六氟化钨(WF_(6))不同的是,钼前驱体是固体,需要使用这些设备将其加热到600℃,以转...
关键词：NAND 六氟化钨 钼元素 价值链 三星 
肝移植受者术后“NANDA-I-NOC-NIC”链接体系的构建被引量：1
《中华现代护理杂志》2024年第15期2033-2041,共9页韩琳秋 冯志仙 万鹏夏 鲁剑芳 金亚仙 朱晓筱 沈鸣雁 
浙江省医药卫生科技计划项目(2023KY215)。
目的以"NANDA-I-NOC-NIC"链接(简称"NNN-链接")为理论框架,构建肝移植受者术后护理方案,优化肝移植术后护理流程,提高护理质量。方法回顾性收集树兰(杭州)医院2019年1月—2021年12月的300例肝移植受者术后使用率>50%的护理诊断,根据NNN...
关键词：围手术期护理 肝移植 标准化护理语言 NNN-链接 德尔菲法 
半导体存储芯片的特征与发展分析被引量：1
《电子技术（上海）》2024年第4期22-24,共3页许宁 付光辉 
阐述数据存储已经成为半导体行业备受关注的领域。参考CHIPS 2020对技术发展的预测,分析当前半导体存储芯片发展现状,主要涵盖SRAM、DRAM和非易失性存储三个方面。这些存储芯片通常被应用于计算机硬件中的高速缓存、主存和固态硬盘等领...
关键词：静态随机存取(SRAM)技术 动态随机存取(DRAM)技术 读取密集型(Nand)闪存 电阻式随机存取(ReRAM) 
有向根树上局部更新函数为NAND或NOR的广义并序动力系统的固定点
《Journal of Donghua University(English Edition)》2024年第2期214-220,共7页孙彦文 郑洁 
2021 Shanghai Philosophy and Social Sciences Planning Project(No.2021BFX005)。
研究对象为有向根树上的广义并序动力系统,其局部更新函数为NAND或NOR。为了研究这类广义并序动力系统中的固定点的个数及状态,采用结构分析法和分类讨论法,得到了此类动力系统中关于固定点的确切结果。证明了这类广义并序动力系统中的...
关键词：广义并序动力系统 有向根树 布尔函数 固定点 
3DNAND存储芯片高深宽比刻蚀工艺对惰性气体需求研究
《中文科技期刊数据库（全文版）工程技术》2024年第2期0185-0189,共5页张丹扬 程星华 白帆 宋恺 
随着当代信息技术的快速发展,5G通讯、大数据和数字化办公等诸多领域的崛起正改变着我们工作和生活的方方面面,数据与存储之间密切的关系促进了对大容量存储器的需求。基于3D NAND闪存的新型存储设备以成本低、存储密度大的优势迅速占...
关键词：3D NAND 存储芯片 高深宽比刻蚀 堆叠层数 惰性气体 
存储器件:国产化与技术升级并重
《中国电子商情》2023年第9期17-21,共5页黄海年 
存储器件行业在AI浪潮的簇拥下加速发展,高容量、高带宽成为存储器件主要技术升级方向。存储器件上游厂商推进技术革新,厂商格局集中,DRAM、闪存(NAND Flash和NOR Flash)晶圆厂商主要为长江存储、长鑫、三星、SK海力士、美光、铠侠等。...
关键词：存储器件 固态硬盘 Flash NAND DRAM 服务器 技术升级 闪存 
3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
《世界电子元器件》2023年第8期13-18,共6页Benjamin Vincent 
动态随机存取存储器(DRAM)是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步...
关键词：存储单元 电路单元 现代计算机 DRAM NAND 便携式设备 逻辑运算 显卡 
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