胡媛

作品数：6被引量：42H指数：3
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：浮栅存储器硅衬底非挥发性存储器非易失存储器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《光学学报》《微电子学》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
微纳金属光学结构制备技术及应用被引量：21
《光学学报》2011年第9期243-250,共8页谢常青 朱效立 牛洁斌 李海亮 刘明 陈宝钦 胡媛 史丽娜 
国家973计划(2007CB935302)资助课题
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光刻制作微纳金属光学结构技术。针对微纳光子学器件复杂图形开...
关键词：光学制造 微纳光学结构 电子束光刻 X射线光刻 自支撑薄膜 
阻变存储器及其集成技术研究进展被引量：13
《微电子学》2009年第4期546-551,共6页左青云 刘明 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403;90607022;60506005)
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
关键词：非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变 
高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用被引量：1
《微电子学》2009年第3期414-419,共6页刘璟 王琴 龙世兵 胡媛 杨仕谦 郭婷婷 刘明 
国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2006CB302706);国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA031403)
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研...
关键词：高k介质 非挥发性存储器 隧穿层 俘获层 
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
《微纳电子技术》2009年第3期134-140,153,共8页李颖弢 刘明 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005)
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的...
关键词：阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理 
纳米晶非挥发性存储器研究进展
《微纳电子技术》2007年第5期225-230,共6页管伟华 刘明 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(90607022;90401002;90207004;60236010;60506005;60390071)
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器...
关键词：纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部