高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用  

Application of High-k Dielectrics to Floating Gate Nonvolatile Memory

作　　者：刘璟[1] 王琴[1] 龙世兵[1] 胡媛[1] 杨仕谦[1] 郭婷婷[1] 刘明[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《微电子学》2009年第3期414-419,共6页Microelectronics

基　　金：国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2006CB302706);国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA031403)

摘　　要：随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。Floating gate non-volatile memory （NVM） devices are facing great challenges beyond 65 nm technology. Thickness of the tunnel oxide layer has already been close to the extreme. By using high-k dielectric to replace conventional SiO2 based dielectrics, NVM can achieve great improvement in programming efficiency and data retention. The development of high-k dielectrics and the latest applications to NVM are described, as well as future research on applications of high-k dielectrics in NVM.

关 键 词：高k介质 非挥发性存储器 隧穿层 俘获层 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]