管伟华

作品数：3被引量：8H指数：1
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：存储器纳米晶浮栅硅衬底非挥发性存储器更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《物理》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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阻变式存储器存储机理被引量：8
《物理》2008年第12期870-874,共5页王永 管伟华 龙世兵 刘明 谢常青 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB302706);国家自然科学基金(批准号:90607022;90401002;90207004;60236010;60506005;60390071)资助项目
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存...
关键词：非挥发性 阻变式存储器(RRAM) 综述 空间电荷限制电流(SCLC) 细丝 
纳米晶非挥发性存储器研究进展
《微纳电子技术》2007年第5期225-230,共6页管伟华 刘明 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(90607022;90401002;90207004;60236010;60506005;60390071)
介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器...
关键词：纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器 
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