纳米晶非挥发性存储器研究进展  

Advances in Nanocrystal Nonvolatile Memory

作　　者：管伟华[1] 刘明[1] 龙世兵[1] 李志刚[1] 刘琦[1] 胡媛[1] 贾锐[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029

出　　处：《微纳电子技术》2007年第5期225-230,共6页Micronanoelectronic Technology

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(90607022;90401002;90207004;60236010;60506005;60390071)

摘　　要：介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。The development and the basic working principle of nanocrystal nonvolatile memory are introduced. The different mechanisms of charge transportation are compared. The latest development and progress of nanocrystal nonvolatile memory on nanocrystal material design, nanoerystal formation, tunneling/control dielectric material engineering and novel device structure are systematically discussed. Future research direction of nanocrystal nonvolatile memory is given.

关 键 词：纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器 

分 类 号：TP333.5[自动化与计算机技术—计算机系统结构]