电子束光刻

作品数：190被引量：281H指数：9
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基于Monte Carlo方法的三维邻近效应校正
《机电工程技术》2025年第2期54-59,共6页张誉腾 刘珠明 梁锡辉 王铠尧 李全同 王其瑞 段飞 陈德龙 
广东省重点领域研发计划项目(2020B0101320002)。
针对电子束光刻中由于电子束散射引起的邻近效应带来的光刻图形精度变差问题,传统的二维邻近效应校正方法在处理精细和三维结构时未能有效应对,尤其是在图形的边缘和角点处。提出了一种基于剂量校正的新型的三维邻近效应校正方法。运用M...
关键词：电子束光刻 邻近效应 三维校正 剂量分布 Monte Carlo模拟 
电子束光刻构筑的纳米世界
《世界科学》2024年第12期32-36,共5页陈宜方 
奇妙的纳米世界是指由数个到数百个原子组成的、尺寸在1~100纳米范围内并具有崭新功能的物质结构。历史上由于缺乏纳米制造技术,这个尺寸范围内所发生的自然现象一直是科学认知的盲区。1980年代,以计算机为代表的信息技术、材料生长技...
关键词：精密仪器设备 电子束光刻 交叉学科 信息技术 科学认知 纳米科技 原子组成 尺寸范围 
基于羧酸肟酯光敏基团的非化学放大型聚合物光刻胶
《高分子学报》2024年第10期1313-1324,共12页安惠雯 廉鹏 陈金平 于天君 曾毅 李嫕 
国家自然科学基金(基金号22090012)资助项目.
合成了2种羧酸肟酯光敏基团修饰的苯乙烯类单体2,2,2-三氟-1-(4'-乙烯基-[1,1'-联苯]-4-基)乙-1-酮-O-(3-甲基苯甲酰基)肟(OXE-P)和2,2,2-三氟-1-(4'-乙烯基-[1,1'-联苯]-4-基)乙烷-1-酮-O-噻吩-2-甲酰肟(OXE-S)通过核磁共振氢谱(1H-NMR...
关键词：非化学放大型光刻胶 可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合 羧酸肟酯 电子束光刻 机理 
超表面硅光偏振分束器制备及测试被引量：1
《光学学报》2024年第19期289-295,共7页朱仕杰 王路 石昊 赵俊 吴衍青 张磊 李镇江 龙家丽 杨树敏 邰仁忠 
国家重点研发计划(2017YFA0206002,2017YFA0403400)。
根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表...
关键词：硅基光电子 超表面 偏振分束器 电子束光刻 电感耦合等离子体刻蚀 在片测试 
具有双重显影特性的多用途单分子树脂化学放大光刻胶
《应用化学》2024年第7期1024-1034,共11页苑晓冬 陈金平 于天君 曾毅 李嫕 
国家自然科学基金(No.22090012)资助。
化学放大光刻胶(CARs)由于其在分辨率和灵敏度方面的出色性能而广泛应用于光刻领域。本文报道了一种基于单分子树脂的多用途化学放大光刻胶SP8-PAG_(AN),可同时用于365 nm光刻和电子束光刻。该体系主要由螺二芴结构的单分子树脂主体材料...
关键词：化学放大光刻胶 双重显影 单分子树脂 365 nm光刻 电子束光刻 
新型锑氧簇光刻胶的性能与机理研究
《化工学报》2024年第4期1705-1717,共13页司友明 郑凌峰 陈鹏忠 樊江莉 彭孝军 
国家自然科学基金项目(21925802,22338005);辽宁滨海实验室(LBLB-2023-03);中央高校基本科研业务费专项资金(DUT22LAB601)。
随着半导体行业集成度越来越高,对光刻材料提出了更高的要求。近年来,金属氧簇光刻胶由于尺寸小、结构设计灵活,得到了广泛的研究。目前锑基金属光刻胶仅局限于含锑配合物。开发出新型锑氧簇光刻胶,通过对比金属有机组装Sb_(4)O-1与自组...
关键词：锑氧簇 自组装 光刻胶 理论计算 电子束光刻 成像 溶解性 纳米材料 
电子束光刻HSQ显影对比度中的图形密度效应
《微纳电子技术》2024年第2期137-144,共8页梁惠康 段辉高 
国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(51722503)。
氢倍半氧硅烷(HSQ)是一种高分辨的电子束抗蚀剂,其稀疏结构的分辨率已证实达到亚5 nm。但在实际应用中,很难达到约10 nm周期的密集结构,其中间隙残胶问题是无法实现更高分辨率的根本原因。利用传统大块薄膜获取的显影对比度进行理论计算...
关键词：电子束光刻(EBL) 氢倍半氧硅烷(HSQ) 显影对比度 分辨率极限 显影机理 图形密度效应 
电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管
《半导体技术》2023年第11期991-994,1019,共5页杜晓松 王宇 孔祥兔 
江苏省高层次创新创业人才引进计划(JSSCRC2021534);江苏省科技副总项目(FZ20221005);常州市领军型创新人才引进培育项目(CQ20210116);常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。
无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测...
关键词：电子束光刻 无掩模版图形化 直写技术 氧化物半导体器件 In-Ga-Zn-O 
电子束直写大深宽比Si_(3)N_(4)薄膜支撑的光栅X射线准直器被引量：2
《光学精密工程》2022年第10期1181-1188,共8页李艺杰 肖君 陈宜方 童徐杰 穆成阳 
上海STCSM项目(No.19142202700);国家自然科学基金项目(No.61927820)。
为了开发新的X射线准直器,利用电子束光刻(EBL)技术,结合电镀和湿法化学刻蚀工艺,在悬空的Si_(3)N_(4)隔膜上制作了大面积、高深宽比、微米周期的Au光栅。调整场拼接区域的曝光剂量解决了大面积的EBL光刻问题;用加强筋结构克服了制作高...
关键词：X射线准直器 Au光栅 电子束光刻 大深宽比 金电镀 
电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL被引量：1
《湖南大学学报（自然科学版）》2022年第10期183-191,共9页姚文泽 徐宏成 赵浩杰 刘薇 侯程阳 陈艺勤 段辉高 刘杰 
国家自然科学基金资助项目(61804049)。
为模拟和优化电子束光刻(Electron Beam Lithography,EBL)工艺过程,提高电子束光刻版图加工质量,依托湖南大学(Hunan University,HNU)开发了一套电子束光刻的“自主可控”国产电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)软件HNU-...
关键词：电子束光刻 计算光刻 Monte Carlo方法 邻近效应校正 EDA软件 
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