光刻胶

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全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
《半导体技术》2025年第5期449-458,共10页江紫玲 朱睿 张婕 
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM...
关键词：有机场效应晶体管(OFET) 双层介电结构 聚丙烯酸(PAA)聚电解质 SU-8光刻胶 溶液法 6 13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯 
基于田口方法的CMOS栅极掩膜层清洗工艺优化研究
《微纳电子技术》2025年第5期87-93,共7页吴国才 张玉龙 孙瑞 时建成 杨彪 
国家自然科学基金青年基金(61805162)。
返工清洗互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极上的光刻胶掩膜层,不合理的工艺将会导致栅极膜层电阻的偏高。制备多晶硅/WSi2结构的CMOS栅极膜层,然后对栅极进行光刻图形化处理并明确光刻胶清洗的机理。通过引入田口方法组合清洗工艺...
关键词：互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管栅极 光刻胶清洗 田口方法 工艺优化 电阻差 
专利引证视角下技术轨道演化及核心技术识别——以“卡脖子”技术浸没式ArF光刻胶为例
《江苏科技信息》2025年第7期55-59,66,共6页许思娴 
江苏高校哲学社会科学研究项目一般项目,项目名称:基于主路径分析的专利技术轨道动态演化及核心技术识别研究,项目编号:2022SJYB0223;江苏省科技资源(工程技术文献)统筹服务平台自主研究课题,项目名称:高端半导体光刻胶领域核心技术识别研究;项目编号:TC2023C004。
专利是反映技术创新的重要手段,专利引证关系能够客观反映技术的关联发展,帮助挖掘技术轨道的动态演变。文章以“卡脖子”技术浸没式ArF光刻胶技术为研究对象,根据专利族之间的引证数据构建浸没式ArF光刻胶技术引文网络进行网络特征和...
关键词：专利引证网络 技术轨道 技术主路径 光刻胶 
侧链型聚酰亚胺碱溶性树脂的合成及其在AMOLED黑色像素定义层光刻胶的应用研究
《化学与生物工程》2025年第4期8-11,31,共5页张若青 宋昌辉 王海涛 项坤 邹菁 
2023年工信部高质量发展专项(TC230A076-18);国家自然科学基金项目(21902108)。
使用黑色像素定义层材料、在AMOLED薄膜封装上覆盖彩色滤光片的去偏光片技术(COE)具有高透过率、轻薄化、低成本的工艺特点,是当前最先进的折叠屏AMOLED技术方案。合成了2种侧链型聚酰亚胺碱溶性树脂HEA-PSMA和GMA-PSMA,分别制作成黑色...
关键词：侧链型聚酰亚胺 像素定义层(PDL) 黑色光刻胶 AMOLED 柔性显示技术 
新型噻蒽硫鎓盐类光致产酸剂的合成及性能
《青岛科技大学学报(自然科学版)》2025年第2期38-45,共8页张真超 金岩 冯柏成 
山东省自然科学基金项目(ZR2020MB132).
以噻蒽和三氟甲烷磺酸酐为原料,合成了一种新型的硫鎓盐类光致产酸剂5-三氟甲基-噻蒽三氟甲磺酸盐,并通过^(1)H NMR、^(13)C NMR、^(19)F NMR和熔点对产品结构进行了表征。对该光致产酸剂的溶解性、热稳定性、紫外吸收、分解和产酸量子...
关键词：硫鎓盐 噻蒽 光致产酸剂 产酸性能 光刻胶 
g-线/i-线光刻胶在半导体工业中的应用现状
《中国科技期刊数据库 工业A》2025年第3期013-016,共4页安晶 
本论文讨论了半导体工业用g-线/i-线用光刻胶的研究状况。首先对光刻胶基本概念、分类以及技术特点进行综述,并对半导体制造用g-线光刻胶、i-线光刻胶应用领域以及市场竞争格局进行深入分析。采用性能测试及分析的方法,对g-线光刻胶及i...
关键词：g-线光刻胶 i-线光刻胶 半导体工业 性能测试 发展趋势 
基于N-苯基马来酰亚胺改性的量子点光刻胶制备色转换像素化薄膜
《发光学报》2025年第3期536-544,共9页蒋博瑞 宋博翔 陈恩果 罗家俊 唐江 
国家重点研发计划青年科学家项目(2021YFB3501800);国家自然科学基金(62322505,62374069,62175032);福建省杰出青年基金项目(2024J010046);武汉光电国家研究中心开放课题(2023WNLOKF011)。
光刻法是一种制备微型发光二极管(Micro-LED)像素化色转换薄膜的可靠方案,但存在量子点与光刻胶兼容性的难题。本文开发了一种通过N-苯基马来酰亚胺(NPMI)侧链改性的丙烯酸树脂制备兼容量子点的光刻胶,侧链基团上C==O键能与量子点形成...
关键词：量子点光刻胶 色转换 树脂改性 像素化 
光刻胶“发酵”!鼎龙股份两款产品首获订单这些公司产能落地
《投资有道》2025年第1期50-51,共2页张清华 
鼎龙股份光刻胶产品实现新突破,两款晶圆光刻胶首获订单,合计金额超百万元。从行业来看,随着需求不断增长,多家上市公司聚焦光刻胶相关领域,加速产能落地。
关键词：光刻胶 合计金额 晶圆 聚焦 订单 股份 落地 上市公司 
SU-8光栅的制备及其衍射性能研究
《传感器与微系统》2025年第1期55-58,共4页鲁小鑫 王萧 张雪凤 王浪 岱钦 乌日娜 
2022年辽宁省“揭榜挂帅”科技计划重点项目;沈阳理工大学光选科研团队建设项目;辽宁省博士科研启动基金计划资助项目(2021-BS-161)。
衍射效率的大小是衡量光刻光栅性能优劣的重要指标。使用严格耦合波分析(RCWA)模拟得到周期10μm和12μm的SU-8微米光栅的各级次衍射效率。采用掩模版紫外光刻技术制作曝光时间分别为27,30,33,36 s的SU-8光栅。通过显微镜观察,发现曝光...
关键词：SU-8光刻胶 衍射效率 严格耦合波分析 
HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
《光电子技术》2024年第4期328-333,344,共7页杨小飞 孟佳 苏磊 李洋 万稳 吕耀军 王军才 邓金阳 
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影...
关键词：高开口率高级超维场转换技术 沟道干法刻蚀 光刻胶残留 光刻胶缺口 薄膜晶体管漏电流 
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