SU-8光刻胶

作品数:43被引量:103H指数:5
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相关机构:大连理工大学上海交通大学中国科学技术大学中国科学院更多>>
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全溶液法制备PAA/SU-8双层电介质OFET及其性能
《半导体技术》2025年第5期449-458,共10页江紫玲 朱睿 张婕 
有机场效应晶体管(OFET)因其低成本和优异的可兼容特性,是柔性电子领域的重要器件。通过构建聚丙烯酸(PAA)/SU-8双层介电结构,结合全溶液法制备了基于6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯半导体层的OFET。通过原子力显微镜(AFM...
关键词:有机场效应晶体管(OFET) 双层介电结构 聚丙烯酸(PAA)聚电解质 SU-8光刻胶 溶液法 6 13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)(TIPS)-并五苯 
SU-8光栅的制备及其衍射性能研究
《传感器与微系统》2025年第1期55-58,共4页鲁小鑫 王萧 张雪凤 王浪 岱钦 乌日娜 
2022年辽宁省“揭榜挂帅”科技计划重点项目;沈阳理工大学光选科研团队建设项目;辽宁省博士科研启动基金计划资助项目(2021-BS-161)。
衍射效率的大小是衡量光刻光栅性能优劣的重要指标。使用严格耦合波分析(RCWA)模拟得到周期10μm和12μm的SU-8微米光栅的各级次衍射效率。采用掩模版紫外光刻技术制作曝光时间分别为27,30,33,36 s的SU-8光栅。通过显微镜观察,发现曝光...
关键词:SU-8光刻胶 衍射效率 严格耦合波分析 
SiC晶须和SU-8复合增强的MEMS惯性开关研究被引量:1
《测控技术》2021年第11期57-63,共7页郑玮 李亚辉 刘扬 张浩东 杨卓青 
国家自然科学基金(619744088);国家重点研发计划(2020YFB2008503);装备预研教育部联合基金(6141A02022424)。
MEMS惯性开关是通过检测外界的加速度来控制电路通断的器件,在测试控制、消费电子、生物医疗等领域都有较为广泛的应用。之前对惯性开关研究多偏向于性能角度,例如增强接触时间或可以感应多个方向加速度,而忽略了惯性开关中材料的创新性...
关键词:MEMS惯性开关 SU-8光刻胶 SIC晶须 阈值加速度 
SU-8微小网孔阵列结构的形貌优化工艺研究被引量:1
《传感器与微系统》2021年第3期12-15,共4页李令英 张慧 陈超 吴其鑫 钱波 
上海新型烟草制品研究院有限公司研究项目(E041190101);国家自然科学基金面上资助项目(61575216);广东省重点领域研发计划资助项目(2018B090905002);江苏省重点研发计划竞争项目(BE2017081)。
研究了曝光剂量对于小孔成型孔径的影响。实验中发现由于SU-8为负性光刻胶,曝光聚焦条件控制不佳会导致倾角较大的倒梯形结构,不利于液体喷射。为了实现陡直的图形结构,深入研究了衬底和紫外曝光焦平面的相对位置(散焦量),对于SU-8光刻...
关键词:SU-8光刻胶 光刻 微机电系统(MEMS) 小液滴 雾化 
SU-8光刻胶去胶工艺研究被引量:5
《微电子学》2020年第6期910-913,共4页张笛 王英 瞿敏妮 孔路瑶 程秀兰 
科技部重点专项(2016YFB0200205)。
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基...
关键词:SU-8光刻胶 O2/CF4 等离子刻蚀 去胶 
基于SU-8厚胶光刻技术的爆炸箔加速膛工艺研究
《科教导刊(电子版)》2019年第30期279-280,共2页姚艺龙 陶允刚 郑国强 余传杰 
SU-8光刻胶是厚胶工艺常用的光刻胶,它是一种基于EPON SU-8树脂的环氧型、负性、近紫外线光刻厚胶,由于曝光时SU-8光刻胶层能够得到均匀一致的曝光量,故使用SU-8光刻胶可获得具有垂直侧壁和较大高深宽比的厚膜图形.本文基于爆炸箔加速...
关键词:SU-8光刻胶 光刻工艺 加速膛 爆炸箔 
基于超表面的可见光波段布拉格反射波导研究被引量:1
《激光与光电子学进展》2018年第3期407-415,共9页任尚书 周树道 王敏 彭舒龄 
国家自然科学基金(41775165;41775039)
采用SiO_2/Si构建了可见光波段的分布式布拉格反射镜(DBR),在其中加入SU-8光刻胶制备的中心腔,构成传统的布拉格反射波导(BRW),利用传输矩阵法分析了可见光在分布式布拉格反射镜和布拉格反射波导中的传输情况,并研究了介质折射率比、厚...
关键词:光学器件 布拉格反射波导 超表面 分布式布拉格反射镜 SU-8光刻胶 传输矩阵法 
SU-8光刻胶加工工艺及应力梯度研究被引量:2
《科技创新与应用》2017年第33期63-64,66,共3页韦剑 何万益 陆颖颖 
文章采用牺牲层刻蚀技术加工SU-8胶MEMS微结构,BP212正性光刻胶作为牺牲层,SU-8胶作为结构层。制造出的SU-8胶微结构完整,表面无裂纹,牺牲层释放干净。通过测量释放后的SU-8胶悬臂梁曲率半径,计算其应力梯度,研究了后烘温度对SU-8胶薄...
关键词:SU-8胶 牺牲层刻蚀 应力梯度 后烘温度 
压电喷墨打印头聚合物喷孔制作工艺研究被引量:1
《机电技术》2017年第4期80-85,共6页冯建波 伊茂聪 杨正 邹赫麟 
描述了一种压电喷墨打印头SU-8光刻胶锥形喷孔的制作方法。该方法基于接近式曝光工艺和键合工艺,首先在PDMS基底上旋涂SU-8光刻胶,通过控制曝光量、曝光间隙、后烘、显影等工艺参数,得到带有微小锥形喷孔的SU-8光刻胶喷孔板,再将喷孔板...
关键词:SU-8光刻胶 喷墨打印头喷孔板 锥形孔 接近式曝光 
SU-8光刻胶应变分布光学全场检测方法被引量:3
《中国光学》2016年第3期379-384,共6页王鑫 王永红 吕有斌 卢怡如 涂思琪 
国家自然科学基金资助项目(No.51375136);中航产学研专项资助项目(No.CXY2013HFGD22)~~
由于SU-8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来SU-8光刻胶应力测量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的SU-8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体加载前后两幅干涉图像...
关键词:剪切散斑干涉 SU-8 光刻胶 应力分布 应变 仿真模拟 
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