邹赫麟

作品数：21被引量：19H指数：2
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发文主题：喷孔热压印打印头乙酰丙酮光刻胶更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
发文期刊：《光谱实验室》《大连理工大学学报》《机电工程技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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压电振动板弯曲振动特性研究被引量：2
《机电技术》2022年第4期21-24,共4页杨志峰 李克洪 张帅 邹赫麟 
压电振动板是压电喷墨打印头的核心结构之一,压电振动板的弯曲振动特性将直接影响压电式喷墨打印头的各项性能。文章基于MEMS工艺设计制作了一种压电振动板结构,该结构通过释放PZT压电层部分固定约束来达到增加振动幅度的目的。建立了...
关键词：压电振动板 MEMS 弹簧结构 
磁控溅射法制备PMN-PZT/PZT异质薄膜的电性能
《材料科学》2022年第5期516-523,共8页宛瑛泽 李克洪 孟令凤 张帅 杨志峰 邹赫麟 
在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上覆盖Pb1.2(Zr0.40, Ti0.60)O3种子层,使用磁控溅射法在种子层上交替沉积0.3Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.7Pb(Zr0.52Ti0.48)O3和Pb(Zr0.52Ti0.48)O3制备多层异质结构薄膜。研究异质界面数量不变的基础上,0.3Pb(Mg...
关键词：磁控溅射 多层PZT薄膜 厚度比 微观结构 电性能 
La掺杂对不同Zr/Ti梯度锆钛酸铅薄膜性能的影响
《材料科学》2022年第5期465-473,共9页张帅 杨志峰 邹赫麟 
本文基于溶胶凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上,利用自发的离子扩散效应,采用梯度补偿的方法制备了不同梯度的PZT薄膜,同时研究了镧掺杂对不同梯度锆钛酸铅薄膜的晶向结构、微观形貌、介电性能、铁电性能以及疲劳性能的影响。XRD...
关键词：浓度梯度 PZT薄膜 LA掺杂 溶胶凝胶 
基于热压印技术制备喷墨打印头腔室
《机电技术》2022年第2期13-17,共5页孟令凤 李克洪 宛瑛泽 邹赫麟 
为了解决光刻工艺容易导致高深宽比的腔室限流部堵塞且加工成本高的问题,文章提出适用于压电喷墨打印头的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)腔室结构的硅模具热压印制作方法。通过深反应离子刻蚀获得硅模具,研究了热压压力和温度对腔室复制精度的...
关键词：高深宽比 硅模具 热压印 复制精度 
压电喷墨腔室键合工艺的研究
《机电工程技术》2021年第10期15-19,共5页王凤伟 孟令凤 宛瑛泽 邹赫麟 
描述了一种结合光刻和热键合工艺制作压电喷墨腔室的工艺方法,并对喷墨腔室的键合质量进行研究。首先在Si基底上制作完全交联的SU-8开放腔室,然后在PDMS基底上采用邻近式紫外曝光得到带有锥形喷孔的喷孔板,最后将喷孔板与开放腔室热键...
关键词：喷墨腔室 曝光量 键合强度 氧等离子体 
利用双层胶方法去除负性光刻胶残胶效果研究
《机电技术》2018年第3期78-82,共5页黎晨 王秋森 王兴 王上飞 邹赫麟 
提出了一种双层胶工艺去除表面残胶的新方法,即以正性光刻胶为底层胶膜、负性光刻胶为顶层胶膜,能有效地去除基底残胶。研究了正性光刻胶粘度和厚度对平均残胶量的影响,实验表明:转速为3000 r/min、厚度为1.36μm旋涂的低粘度正胶AZ703...
关键词：残胶 AZ703 粘度 厚度 缩进距离 
镧掺杂PZT薄膜的制备和表征被引量：1
《机电技术》2017年第4期76-79,85,共5页许文才 李奇 王富安 邹赫麟 
采用溶胶凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)基底上制备掺镧锆钛酸铅薄膜(Pb_(1-x)La_xZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜,简称PLZT),掺杂La浓度分别为x=0%,1%,2%,3%,4%和5%。研究了La掺杂对锆钛酸铅(简称PZT)薄膜的晶向、微结构、介电和铁电性...
关键词：PLZT薄膜 La摻杂 相对介电常数 铁电性能 
压电喷墨打印头聚合物喷孔制作工艺研究被引量：1
《机电技术》2017年第4期80-85,共6页冯建波 伊茂聪 杨正 邹赫麟 
描述了一种压电喷墨打印头SU-8光刻胶锥形喷孔的制作方法。该方法基于接近式曝光工艺和键合工艺,首先在PDMS基底上旋涂SU-8光刻胶,通过控制曝光量、曝光间隙、后烘、显影等工艺参数,得到带有微小锥形喷孔的SU-8光刻胶喷孔板,再将喷孔板...
关键词：SU-8光刻胶 喷墨打印头喷孔板 锥形孔 接近式曝光 
SU-8干膜喷墨腔室的制作工艺研究被引量：2
《机电技术》2016年第3期117-121,共5页智利莎 冯建波 伊茂聪 邹赫麟 
描述了一种基于干膜层压技术和光刻技术的制作SU-8干膜喷墨腔室的工艺方法:光刻SU-8胶得到开放腔室并使用氧等离子体处理,将PDMS(Polydimethylsiloxane)上的SU-8干膜层压在开放腔室上,使用光刻技术在干膜层上制作出喷孔,从而得到完整的...
关键词：干膜 喷墨腔室 光刻 
硅基深宽比结构与SiO2薄膜的干法刻蚀方法研究被引量：2
《仪表技术与传感器》2015年第11期1-3,14,共4页颜改革 韩敬宁 殷志富 邹赫麟 
文中研究了贯穿刻蚀硅基直壁沟槽及沟槽底部SiO_2薄膜过刻蚀的深反应离子刻蚀(DRIE)工艺过程。首先,研究了DRIE刻蚀钝化时间比(T_(SF6)∶T_(C4F8))对硅刻蚀形貌的影响。通过工艺参数优化,采用刻蚀钝化时间比分别为9 s/2 s、11 s/2 s(C_4...
关键词：深反应离子刻蚀 刻蚀钝化时间比 射频功率 黑硅 SIO2薄膜 
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