深反应离子刻蚀

作品数：39被引量：103H指数：5
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者：王跃林李昕欣冯进军陈宜方杨恒更多>>
相关机构：中国科学院北京大学浙江大学中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关期刊：《微纳电子技术》《真空科学与技术学报》《光机电信息》《固体电子学研究与进展》更多>>
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基于DRIE的太赫兹行波管硅基低损耗慢波结构工艺技术研究
《固体电子学研究与进展》2024年第5期369-373,共5页吴杰 杨扬 刘欣 严可 郑源 冯堃 王政焱 姜理利 黄旼 李忠辉 朱健 陈堂胜 
行波管慢波结构的制造通常采用计算机数字化控制精密机械加工技术。随着工作频率的提升,对慢波结构特征尺寸精度的要求达到微纳米级,导致加工难度大、周期长,成本高昂,一定程度上限制了技术的快速发展。硅基MEMS加工工艺具备优秀的三维...
关键词：太赫兹 慢波结构 低损耗 硅基 MEMS 深反应离子刻蚀(DRIE) 
基于MEMS技术的离子门设计与制备
《微纳电子技术》2024年第10期134-140,共7页任家纬 贾建 高晓光 何秀丽 
国家重点研发计划(2022YFF0708200)。
为了提高小型离子迁移谱仪分辨率,基于微电子机械系统(MEMS)技术设计并制备了Bradbury-Nielsen(BN)离子门。首先简要介绍离子迁移谱仪原理及结构,其次通过SIMION软件对漂移管进行建模,利用统计扩散模拟(SDS)多物理场的仿真程序模拟离子...
关键词：离子门 微电子机械系统(MEMS) 离子迁移谱 有限元仿真 深反应离子刻蚀 
太赫兹真空器件中超深金属慢波结构的微加工技术
《真空科学与技术学报》2024年第9期759-767,共9页姜琪 李兴辉 冯进军 蔡军 潘攀 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金项目(10249)。
太赫兹真空电子器件物理结构尺寸变化随着波长的减小而减小,对微小结构的尺寸精度与表面粗糙度要求也大大增加。随着器件频率进入到太赫兹频段,慢波结构的深度达到几十微米或者百微米量级,加工的难点主要有:材料为金属,结构超深,表面粗...
关键词：太赫兹真空电子器件 微机电系统 深反应离子刻蚀 紫外−光刻、电铸 慢波结构 
用于E型薄膜制备的双掩膜工艺研究
《压电与声光》2024年第4期505-510,共6页郝一鸣 雷程 王涛龙 余建刚 冀鹏飞 闫施锦 梁庭 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金资助项目(YDZJSX20231B006);山西省重点研发计划资助项目(202302030201001)。
在高温压力传感器中,与C型膜片相比,E型膜片的稳定性强,非线性误差小,相同挠度下灵敏度高。在微机电系统(MEMS)工艺流程中薄膜制备较重要,其形貌结构对传感器的性能影响较大。但E型薄膜的制备过程较难,为制备出形貌良好的E型(硅岛)薄膜...
关键词：双掩膜 E型薄膜 深反应离子刻蚀 刻蚀比 刻蚀形貌 
基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究
《微电子学》2021年第2期265-269,共5页李明浩 王俊强 李孟委 
国家自然科学基金资助项目(61804137);"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604)。
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155μm、直径为41μm的...
关键词：硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 
Mn掺杂Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3单晶微米尺度压电阵列的制备与铁电畴结构研究
《物理学报》2020年第18期285-293,共9页王巨杉 马金鹏 赵祥永 陈明珠 王飞飞 王涛 唐艳学 程玮 林迪 罗豪甦 
国家自然科学基金(批准号:51772192,11574214);上海市科学技术委员会(批准号:17070502700,19070502800)资助的课题.
超声探头是高端医学超声诊疗设备的核心元件,由弛豫型铁电单晶制备的新型压电器件可显著提高其性能.由于高阵元密度阵列技术与微机电系统迅速发展,传统切割填充法刀缝过宽,难以降低阵元尺寸,无法提高阵元密度,更不利于高分辨率及高频率...
关键词：弛豫铁电单晶 压电阵列 深反应离子刻蚀 
基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备被引量：3
《微纳电子技术》2019年第7期580-585,592,共7页杨海博 戴风伟 王启东 曹立强 
航天自然科学基金资助项目(U1537208);国家02重大专项资助项目(2017ZX02315005)
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充...
关键词：转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀 
硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构的研制被引量：1
《微纳电子技术》2018年第3期178-182,218,共6页寇志伟 刘俊 曹慧亮 石云波 张英杰 
国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目(51727808);国家自然科学基金青年基金资助项目(51705477);山西省回国留学人员科研资助项目(2016-083);中北大学电子测试技术重点实验室开放基金(ZDSYSJ2015004)
根据固体波动陀螺的工作机理与振动特性,提出并制作了一种新颖的电容式全对称硅基MEMS环形波动陀螺谐振结构。设计了全对称双U形弹性梁环形敏感结构并进行了动力学分析。分析结果表明其工作模态的谐振频率为10.193 0与10.198 0 kHz,频...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 环形波动陀螺 谐振结构 深反应离子刻蚀(DRIE) 玻璃上硅(SOG)结构 
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4
《强激光与粒子束》2017年第7期73-77,共5页李欣 刘建朋 陈烁 张思超 邓彪 肖体乔 孙艳 陈宜方 
国家自然科学基金项目(61574043);上海STCSM项目(15JC1401000);中国科学院开放项目(2015KF003)
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实...
关键词：HSQ 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬X射线 
硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究被引量：1
《电子与封装》2016年第9期44-47,共4页刘学勤 董安平 
评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现...
关键词：深反应离子刻蚀 刀片机械切割 崩角 开裂 
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