云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 陈烁

陈烁: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>; 发文主题：大高宽比高宽比感应耦合等离子体刻蚀深反应离子刻蚀硬X射线更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《强激光与粒子束》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金更多>>

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大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4: 《强激光与粒子束》2017年第7期73-77,共5页李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方; 国家自然科学基金项目(61574043);上海STCSM项目(15JC1401000);中国科学院开放项目(2015KF003); 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实...; 关键词：HSQ 深反应离子刻蚀硅纳米柱高宽比硬X射线