利用双层胶方法去除负性光刻胶残胶效果研究  

作　　者：黎晨 王秋森 王兴 王上飞 邹赫麟[1] 

机构地区：[1]大连理工大学机械工程学院,辽宁大连116024

出　　处：《机电技术》2018年第3期78-82,共5页Mechanical & Electrical Technology

摘　　要：提出了一种双层胶工艺去除表面残胶的新方法,即以正性光刻胶为底层胶膜、负性光刻胶为顶层胶膜,能有效地去除基底残胶。研究了正性光刻胶粘度和厚度对平均残胶量的影响,实验表明:转速为3000 r/min、厚度为1.36μm旋涂的低粘度正胶AZ703对去胶有明显效果;研究了底层胶膜缩进距离d和图形完整性的关系,实验表明:当底层胶膜缩进距离d达到8μm时,图案完整,且使顶层胶膜与基底接触面积最小化,达到进一步减少残胶的效果。

关 键 词：残胶 AZ703 粘度 厚度 缩进距离 

分 类 号：TS853.5[轻工技术与工程]