镧掺杂PZT薄膜的制备和表征  

作　　者：许文才[1] 李奇[1] 王富安[1] 邹赫麟[1] 

机构地区：[1]大连理工大学机械工程学院,辽宁大连116024

出　　处：《机电技术》2017年第4期76-79,85,共5页Mechanical & Electrical Technology

摘　　要：采用溶胶凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)基底上制备掺镧锆钛酸铅薄膜(Pb_(1-x)La_xZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3薄膜,简称PLZT),掺杂La浓度分别为x=0%,1%,2%,3%,4%和5%。研究了La掺杂对锆钛酸铅(简称PZT)薄膜的晶向、微结构、介电和铁电性能的影响:X射线衍射(XRD)分析显示掺杂La使得薄膜的晶向取向趋于杂乱。扫描电子显微镜(SEM)分析显示当掺杂浓度小于等于3%时,薄膜的表面可以看到明显的晶界;随着掺杂浓度的增加,薄膜表面的晶界变得模糊。掺杂La 3%的PLZT薄膜的相对介电常数最大,100 Hz下达到1430.02,相比不掺杂PZT薄膜的相对介电常数提高了32.4%。掺杂La 1%的PLZT薄膜的铁电性能最优,相比不掺杂的PZT薄膜,+Pr从17.3μC/cm^2增加到17.72μC/cm^2,-Pr从14.43μC/cm^2增加到16.98μC/cm^2。

关 键 词：PLZT薄膜 La摻杂 相对介电常数 铁电性能 

分 类 号：TB16[天文地球—地质学]