王宇

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发文主题：复合材料采煤丙烯腈锰半导体工艺更多>>
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电子束光刻制备In-Ga-Zn-O场效应晶体管
《半导体技术》2023年第11期991-994,1019,共5页杜晓松 王宇 孔祥兔 
江苏省高层次创新创业人才引进计划(JSSCRC2021534);江苏省科技副总项目(FZ20221005);常州市领军型创新人才引进培育项目(CQ20210116);常州大学引进人才启动经费资助项目(ZMF20020444)。
无掩模直写技术制备半导体器件的方法在微电子学领域受到了广泛关注。提出了采用电子束直写技术对SnO_(2)薄膜进行图形化并辐照改性的方法,成功制备了以SnO_(2)为源/漏电极的底栅型铟镓锌氧化物(IGZO)场效应晶体管(FET)并对其进行了测...
关键词：电子束光刻 无掩模版图形化 直写技术 氧化物半导体器件 In-Ga-Zn-O 
纳米SiO_2/聚酯复合材料的研究进展
《纺织科学研究》2015年第9期100-101,共2页王甜甜 王宇 
综述了近年来国内外Si O2/聚酯复合材料的研究进展,指出了氧化硅改性的原因和常用方法、Si O2/聚酯复合材料的制备方法,提出了Si O2/聚酯复合材料的发展方向。
关键词：氧化硅 聚酯 复合材料 
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