左青云

作品数：2被引量：20H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：存储器储层信息存储技术电极整流器件更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《微电子学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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阻变存储器及其集成技术研究进展被引量：13
《微电子学》2009年第4期546-551,共6页左青云 刘明 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 
国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展(973)计划基金资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403;90607022;60506005)
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。
关键词：非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变 
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
《微纳电子技术》2009年第3期134-140,153,共8页李颖弢 刘明 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005)
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的...
关键词：阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理 
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