黄俊

作品数：5被引量：7H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：刻蚀外延层HEMT器件ALGAN/GAN_HEMT钝化层更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT(英文)被引量：5
《红外与毫米波学报》2011年第4期289-292,共4页刘果果 魏珂 黄俊 刘新宇 牛洁斌 
Supported by National Natural Science Foundation(60890191);National “973” program(2010CB327500)
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 蓝宝石衬底 fmax InGaN背势垒 湿法腐蚀 
AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术被引量：1
《功能材料与器件学报》2009年第2期193-196,共4页黄俊 魏珂 刘新宇 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目
对AlGaN/GaNHEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 凹栅槽 低损伤刻蚀 C2H4 
Post-Gate Process Annealing Effects of Recessed AlGaN/GaN HEMTs被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第12期2326-2330,共5页刘果果 黄俊 魏珂 刘新宇 和致经 
supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.2002CB311903);the Key Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences(No.KGCX2-S W-107)~~
This paper focuses on how to reduce the gate leakage current caused by plasma dry etching. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） is employed to measure the AlGaN surface before and after etching. N vacancies are in...
关键词：GAN dry etching gate leakage ANNEALING N vacancy 
Carbon-Induced Deep Traps Responsible for Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
《Journal of Semiconductors》2008年第6期1066-1069,共4页庞磊 李诚瞻 王冬冬 黄俊 曾轩 刘新宇 刘键 郑英奎 和致经 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号: KGCX2-SW-107)资助项目~~
Although outstanding microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs has been reported,drain current collapse is still a problem. In this paper,an experiment was carried out to demonstrate one factor causing the collap...
关键词：AlGaN/GaN HEMT current collapse carbon impurity deep trap 
等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1777-1781,共5页李诚瞻 庞磊 刘新宇 黄俊 刘键 郑英奎 和致经 
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目~~
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构Al GaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析Al GaN表面,等离子体干...
关键词：等离子体刻蚀 凹栅槽 栅电流 N空位 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部