栅电流

作品数：38被引量：53H指数：4
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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型被引量：1
《电子学报》2022年第5期1227-1233,共7页葛晨 李胜 张弛 刘斯扬 孙伟锋 
国家重点研发计划(No.2020YFF0218501);江苏省科技成果转化基金(No.BA2020027);东南大学至善学者(No.2238185478)。
为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型Ga...
关键词：增强型 高级Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis模型 p-GaN栅 转移特性 输出特性 栅电容 栅电流 
阳极电流和屏栅电压对5kW离子推力器性能的影响被引量：5
《推进技术》2021年第6期1435-1440,共6页李建鹏 张天平 赵以德 李娟 郭德洲 胡竟 
国家自然科学基金(61701209);甘肃省科技计划资助项目(18JR3RA412);中国航天五院杰出青年人才基金。
为了研究5kW离子推力器功率宽范围工作能力,采用试验的方法得到阳极电流和屏栅电压与其性能的影响关系。研究结果表明:离子束流随阳极电流增大呈线性增大。当屏栅电压增加时,推力器离子束流先增大然后趋于稳定,加速栅电流单调减小。推...
关键词：离子推力器 离子束流 阳极电流 屏栅电压 加速栅电流 
晶格匹配InAlN/GaN HEMTs栅极电流击穿行为研究
《固体电子学研究与进展》2020年第4期300-304,共5页金宁 陈雷雷 李金晓 周浩 闫大为 顾晓峰 
相较于传统AlGaN/GaN HEMTs,采用晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结可有效消除逆压电效应引发的器件可靠性问题,而且沟道二维电子气密度更高,更适合射频微波通信应用。然而,In0.17Al0.83N/GaN HEMTs的外延片材料往往存在较高的位错密度,...
关键词：InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管 栅电流击穿 微光显微镜 
浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响
《电子与封装》2019年第9期43-47,共5页张海峰 刘芳 陈燕宁 原义栋 付振 
随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA...
关键词：栅电流 浅沟槽隔离 隧穿 能带结构 
一种基于求和型CMOS基准电流源的RC振荡器被引量：2
《电子世界》2019年第3期11-13,共3页唐俊龙 罗磊 肖仕勋 韦钰 曹韬 邹望辉 
国家科技支撑计划项目(2014BAH28F04);湖南省教育厅创新平台开放基金项目(17K004);柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室
基于HHNEC 0.35μm 5V CMOS工艺,提出一种自偏置共源共栅电流镜结构的改进新颖求和型CMOS基准电流源,产生一个低温漂基准电流作为充放电电流,设计了一款应用于温度传感器芯片的高精度RC振荡器,采用共质心结构和虚拟管匹配技术完成RC振...
关键词：CMOS工艺 基准电流源 RC振荡器 求和 共源共栅电流镜 温度范围 充放电电流 传感器芯片 
CMOS晶体管漏电流分析
《机电信息》2018年第21期114-115,117,共3页王旭 
随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带来了单位密度的功耗大幅增加,并由此带来了可靠性下降、使用寿命变短等问题。鉴于此,在参照大尺寸晶体管...
关键词：低功耗 亚阈值电流 栅电流 势垒下降效应 热载流子注射效应 
应变Si NMOSFET总剂量效应
《电子科技》2018年第9期1-3,17,共4页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的...
关键词：总剂量 阈值电压 隧穿 热载流子 栅电流 
一种超低温漂低功耗全CMOS基准电压源被引量：3
《微电子学》2017年第6期769-773,共5页周茜 邓进丽 岳宏卫 朱智勇 龚全熙 孙晓菲 
国家自然科学基金资助项目(11264009;61465004);广西区教育厅高校科研资助项目(YB2014135);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(YJCXS201514;2016YJCX92)
提出了一种超低温漂、低功耗亚阈值全CMOS基准电压源。利用工作在亚阈值区的3.3V MOS管与1.8V MOS管的栅源电压差,产生具有负温度系数的ΔVTH和具有正温度系数的VT,经过相互调节,得到与温度无关的基准电压。采用了共源共栅电流镜,以降...
关键词：基准电压源 超低温漂 低功耗 亚阈值 共源共栅电流镜 
LIPS-200E离子推力器栅极组件最敏感参数分析
《真空科学与技术学报》2017年第11期1050-1055,共6页高俊 杨福全 耿海 唐福俊 江豪成 郑茂繁 
为了解决LIPS-200E离子推力器工作过程中加速栅截获电流较大的问题,本文针对该推力器栅极组件建立了二维数值仿真计算模型,采用仿真计算和理论分析相结合的方法,系统分析了栅极组件几何结构参数和工作电参数对其束流离子聚焦状态的影响...
关键词：栅极组件 参数 聚焦 加速栅电流 
0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管被引量：1
《西安交通大学学报》2017年第8期72-76,共5页韩克锋 王创国 朱琳 孔月婵 
国家自然科学基金资助项目(61474101)
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基...
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性 
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