CMOS晶体管漏电流分析  

作　　者：王旭 

机构地区：[1]孤山电子科技(上海)有限公司,上海201108

出　　处：《机电信息》2018年第21期114-115,117,共3页

摘　　要：随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带来了单位密度的功耗大幅增加,并由此带来了可靠性下降、使用寿命变短等问题。鉴于此,在参照大尺寸晶体管的功耗构成的基础上,总结了小尺寸晶体管的功耗来源划分,基于45 nm工艺分析了CMOS晶体管在工作时存在的各种漏电流的产生机理,并给出了相关数学模型,可为纳米尺寸下的功耗估计和低功耗技术研究提供帮助。

关 键 词：低功耗 亚阈值电流 栅电流 势垒下降效应 热载流子注射效应 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]