亚阈值电流

作品数：16被引量：24H指数：2
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对称三材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型被引量：1
《电子学报》2018年第11期2768-2772,共5页辛艳辉 袁合才 辛洋 
河南省科技公关项目(No.172102210367);华北水利水电大学高层次人才科研启动项目(No.40436)
基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流...
关键词：亚阈值电流 亚阈值斜率 三材料双栅 应变硅 
CMOS晶体管漏电流分析
《机电信息》2018年第21期114-115,117,共3页王旭 
随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带来了单位密度的功耗大幅增加,并由此带来了可靠性下降、使用寿命变短等问题。鉴于此,在参照大尺寸晶体管...
关键词：低功耗 亚阈值电流 栅电流 势垒下降效应 热载流子注射效应 
GaN HFET中的亚阈值电流和穿通被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第5期347-359,共13页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61474101);国家自然科学基金(青年基金)资助项目(61504125)
通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟...
关键词：能带畸变 外沟道电阻 漏电压引起的电势下降 电场梯度引起的能带下弯 亚阈值电流 强负栅压引起的穿通 穿通阱 
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型被引量：3
《电子学报》2015年第1期94-98,共5页韩名君 柯导明 
国家自然科学基金(No.61076086;No.06070458);高等学校博士学科点专项科研基金(No.2103401110008)
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M...
关键词：超浅结亚45nm MOSFET 二维电势半解析模型 亚阈值电流 
纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究被引量：2
《北京大学学报（自然科学版）》2014年第4期595-599,共5页王源 张雪琳 曹健 陆光易 贾嵩 张钢刚 
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606);国家自然科学基金青年基金(61106101)资助
提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS电容栅极–衬底之间电压差,降低电路的泄漏电流,抑制ESD泄放器件的亚阈值电流。65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有...
关键词：静电放电 泄漏电流 电源钳位电路 亚阈值电流 
基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型
《宿州学院学报》2014年第4期74-77,共4页韩名君 李长波 钱峰 陶玉贵 
安徽省高校省级优秀青年人才基金重点项目"考虑结深的纳米MOS器件二维建模与统计涨落模型研究"(2013SQRL148ZD);安徽省质量工程项目"维修电工职业技能人才培养模式的研究"(2010jyxm646);芜湖职业技术学院院级科研项目"短沟MOSFET器件电势和电容的二维半解析模型"(Wzyzr201308)
随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法...
关键词：MOSFET 亚阈值电流 二维电势模型 热电子电流 
nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究
《微电子学》2013年第1期103-106,共4页陈海峰 过立新 
陕西省教育厅专项科研基金资助项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金资助项目(XA-AM-201012)
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V
关键词：衬底电流 亚阈值电流 NMOSFET 衬底偏压 
短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析被引量：1
《功能材料与器件学报》2010年第4期311-315,共5页王洪涛 王茺 胡伟达 杨洲 熊飞 杨宇 
云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012);国家自然基金(批准号:10964016和60567001)
本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟。计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阈值电流的影响,并对模拟结果...
关键词：短沟道n-MOSFET 亚阈值电流 解析模型 数值模拟 
异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第4期746-750,共5页栾苏珍 刘红侠 贾仁需 王瑾 
国家自然科学基金(批准号:60206006);教育部新世纪优秀人才计划(批准号:681231366);国防预研基金(批准号:51308040103);西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200701);教育部重点科技研究(批准号:104172)资助项目~~
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求...
关键词：异质栅 SOI MOSFET 亚阈值电流 二维解析模型 
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究被引量：2
《物理学报》2008年第3期1872-1877,共6页谭开洲 胡刚毅 杨谟华 徐世六 张正璠 刘玉奎 何开全 钟怡 
国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题~~
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退...
关键词：界面陷阱 亚阈值电流 X射线辐射 电离辐射 N沟VDMOS 
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