刘红侠

作品数：106被引量：230H指数：7
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发文主题：单粒子总剂量抗辐照电路栅氧化层更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《计算机工程与应用》《电子学报》《湖南大学学报（自然科学版）》更多>>
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无损高压缩率电路设计被引量：2
《西安电子科技大学学报》2019年第2期35-40,共6页朱嘉 刘红侠 
国家自然科学基金(61434007)
为了节省传输系统数据带宽,满足实时压缩要求,通过对Deflate算法硬件实现,设计了一种无损高压缩率电路。通过4列双哈希并行匹配,采用静态哈夫曼编码技术,发挥硬件流水结构和并行计算优势,提升了压缩速度及压缩率。该硬件电路由系统硬件...
关键词：无损压缩 Deflate算法 双哈希 并行匹配 哈夫曼编码 
适用于均衡器系统的高速低失调限幅放大器
《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》2018年第11期1154-1159,共6页吴红兵 刘红侠 
国家自然科学基金资助项目(61376099);陕西省重点基础研究资助项目(2017ZDJC-26)~~
基于0.13,μmCMOS工艺,设计了一款适用于均衡器系统的高速低失调电压的限幅放大器.电路设计中采用有源负载电感效应技术来提高系统的带宽;同时,为了优化由器件间失配导致的失调电压,提出了一种改进的失调电压消除技术.通过在负反馈环路...
关键词：限幅放大器 失调消除技术 有源负反馈 均衡器 
第一性原理计算硼和氮原子对石墨烯光电性能的调制（英文）被引量：1
《红外与毫米波学报》2018年第1期25-29,共5页李佳斌 刘红侠 吴磊 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(61376099);the Foundation for Fundamental Research of China(JSZL2016110B003);the Major Fundamental Research Program of Shaanxi(2017ZDJC-26)
通过设计B和N原子取代碳原子,可以实现对石墨烯性能的调制.结果显示,石墨烯的带隙被打开,狄拉克锥在费米能级上上下移动,类似于对其进行p型或n型掺杂.在费米能级处电子态存在,电荷从杂质转移到C原子上或者从碳原子转移到杂质上.静态介...
关键词：石墨烯 掺杂 第一性原理 电子性能 光学性能 
可双向导通的凹栅隧穿晶体管
《西安电子科技大学学报》2017年第6期70-74,168,共6页陈树鹏 王树龙 刘红侠 李伟 汪星 王倩琼 
国家自然科学基金资助项目(61376099;61434007;61504100)
传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进...
关键词：带带隧穿 隧穿晶体管 凹栅 双向电流通路 
低成本片上射频内建自测系统的关键参数测量被引量：1
《西安电子科技大学学报》2017年第4期29-33,共5页朱嘉 刘红侠 
国家自然科学基金资助项目(61376099;11235008)
针对芯片射频测试成本不断提高的问题,提出了一种低成本片上系统射频内建自测电路结构及其关键参数测量处理方法.此射频内建自测结构着重利用片上已有数字信号处理器、坐标旋转数字计算机和模数转换器对射频测试信号进行数字傅里叶变换...
关键词：射频内建自测 坐标旋转数字计算机 环回结构 信噪比 
TP RAM的低功耗优化设计及应用
《计算机工程与应用》2017年第16期237-240,257,共5页周清军 刘红侠 
国家自然科学基金(No.61376099;No.6143000024);陕西省教育厅专项基金项目(No.16JK2138)
针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法。通过将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,保持对外接口不变。为了进一步降低功耗,使用自适应门控时钟,对地...
关键词：伪双口随机存储器(TPRAM) 单口随机存储器(SPRAM) 接口转换逻辑 自适应门控时钟 格雷码 
SoC中的伪双口RAM优化设计方法及应用
《计算机辅助设计与图形学学报》2017年第2期372-376,共5页周清军 刘红侠 
国家自然科学基金(61376099;6143000024);陕西省教育厅专项基金项目(16JK2138)
针对SoC中TP RAM的面积及功耗较大问题,提出一种优化设计方法.该方法将SoC中的TP RAM替换成SP RAM,并在SP RAM外围增加读写接口转换逻辑,使替换后的RAM实现原TP RAM的功能,以保持对外接口不变.将文中方法应用于一款多核SoC芯片,该芯片经...
关键词：伪双口RAM 单口RAM 功耗优化 面积优化 接口转换逻辑 
90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路被引量：2
《西安电子科技大学学报》2015年第3期54-60,共7页杨兆年 刘红侠 朱嘉 费晨曦 
国家自然科学基金资助项目(61376099,11235008);教育部博士点基金资助项目(20130203130002,20110203110012);航天808所基金资助项目(20140418)
提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某...
关键词：反馈 检测电路 静电放电 电压触发 
90nm CMOS工艺下3×V_(DD)容限静电检测电路被引量：1
《西安电子科技大学学报》2015年第1期56-61,206,共7页杨兆年 刘红侠 朱嘉 
国家自然科学基金资助项目(61376099;11235008);教育部博士点基金资助项目(20130203130002;20110203110012)
提出一种90nm 1.2VCMOS工艺下只用低压器件的新型3×VDD容限的静电检测电路.该电路利用纳米工艺MOSFET的栅极泄漏特性和反馈技术来控制触发晶体管并进而开启箝位器件(可控硅整流器),同时采用多级叠加结构以承受高电压应力.在静电放电时...
关键词：检测电路 静电泄放 反馈 泄漏特性 叠加晶体管 
堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型被引量：1
《物理学报》2014年第24期436-441,共6页辛艳辉 刘红侠 王树龙 范小娇 
国家自然科学基金(批准号:61376099;11235008);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:201302031300020110203110012)资助的课题~~
提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势...
关键词：应变SI 单Halo 对称双栅 金属氧化物半导体场效应管 
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