应变SI

作品数：78被引量：110H指数：4
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应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响
《电子科技》2019年第6期22-25,30,共5页张倩 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)~~
针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明...
关键词：应变SI NMOS器件 总剂量辐射 单粒子效应 漏极瞬态电流 漏极收集电荷 
应变Si NMOSFET总剂量效应
《电子科技》2018年第9期1-3,17,共4页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的...
关键词：总剂量 阈值电压 隧穿 热载流子 栅电流 
应变Si纳米NMOSFET单粒子效应被引量：1
《电子科技》2018年第8期38-41,共4页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长...
关键词：单粒子瞬态 漏极偏置 栅长 注入位置 
单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化被引量：1
《电子科技》2018年第7期46-50,共5页廖晨光 郝敏如 
陕西省科技计划项目(2016GY-085)
针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentauru...
关键词：应变SI NMOSFET 氮化硅薄膜(SiN) 沟道应力 参数优化 
小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现
《物理学报》2018年第6期258-267,共10页陈航宇 宋建军 张洁 胡辉勇 张鹤鸣 
高等学校学科创新引智计划(批准号：B12026)资助的课题.
小尺寸单轴应变Si p型金属氧化物半导体(PMOS)沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,应变PMOS优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向.目前,文献已有1.5 GPa应力强度下单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率按晶面/晶向排序的理论模型.然而,在...
关键词：单轴应变 载流子迁移率 晶面/晶向 
离子注入和热退火工艺对应变Si材料应力影响研究
《电子器件》2018年第1期8-13,共6页王颖 
应变Si技术是延续摩尔定律最有效技术之一,重点研究了离子注入和热退火过程对应变Si材料中应力的影响,开展了不同离子注入类型、能量和剂量,以及热退火温度和时间对应变Si材料特性影响的实验,并应用拉曼测试对实验结果进行了分析,结果表...
关键词：应变Si材料 离子注入 热退火 拉曼测试 
单轴应变Si NMOS电流模型研究
《电子测试》2017年第6X期54-55,38,共3页王颖 
应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,本文从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件电流-电压模型,该模型充分考虑了应力等因素对阈值电压和电流的影响,仿真结果表明仿...
关键词：单轴 应变SI 模型 
γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响被引量：2
《物理学报》2017年第7期361-369,共9页郝敏如 胡辉勇 廖晨光 王斌 赵小红 康海燕 苏汉 张鹤鸣 
国家自然科学基金(批准号:61474085);陕西省科技计划项目(批准号:2016GY-085)资助的课题~~
基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照...
关键词：单轴应变Si 纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量 栅隧穿电流 
单轴应变Si NMOS阈值电压模型研究
《信息与电脑》2017年第6期91-93,共3页王颖 
应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,笔者从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件阈值电压模型,该模型充分考虑了应力、短沟道效应和窄沟道效应对阈值电压的影响,分析...
关键词：单轴 阈值电压 模型 
对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型被引量：1
《中南大学学报（自然科学版）》2016年第4期1203-1208,共6页李劲 吴笑峰 席在芳 胡仕刚 李目 
国家自然科学基金资助项目(61474042;61404049;61376076);湖南省科技计划项目(2013FJ2011;2014FJ2017);湖南省教育厅资助项目(14B060;13C321)~~
基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组...
关键词：高斯掺杂 应变SI 阈值电压 
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