总剂量辐射

作品数：125被引量：228H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郭旗张正选崔江维李豫东余学峰更多>>
相关机构：中国科学院电子科技大学中国科学院大学中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家高技术研究发展计划中国科学院西部之光基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
《北京航空航天大学学报》2025年第2期389-396,共8页郭仲杰 卢沪 刘楠 吴龙胜 
国家自然科学基金(62171367);陕西省重点研发计划(2021GY-060);陕西省创新能力支撑计划(2022TD-39);西安理工大学校企协同基金(252062109)。
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实...
关键词：总剂量辐射效应 加固设计 Buck-Boost转换器 误差放大器 实时监测 
FinFET器件总剂量效应及加固研究进展
《环境技术》2025年第1期50-57,共8页田常湘 丁雪萍 刘宇 粟嘉伟 张喆垚 林雪梅 
随着FinFET器件在航空航天、核能及军事等高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量辐射效应(Total Ionizing Dose,TID)下的性能可靠性成为重要研究课题。本文阐述了FinFET器件的基本原理及其在TID效应下的性能影响,讨论了关于FinFET TID效应...
关键词：FinFET器件 总剂量辐射效应 模拟模型工具 加固方法 
nFinFET低温总剂量效应的研究
《自动化技术与应用》2024年第10期167-170,共4页蒋继成 姚钢 张玉宝 王强 
2023年黑龙江省科学院科学研究院基金项目计划(KY2023YZNY02)。
为研究nFinFET的低温总剂量辐射效应和器件损伤机理,对16 nm工艺体硅nFinFET在300K和77K温度下进行60Co-γ射线辐照试验,总剂量为1 Mrad(Si),利用半导体测试仪测试关键电参数性能。结果表明,300K辐照后器件特性几乎无变化,而77K辐照后...
关键词：低温总剂量辐射效应 FinFET器件 深空探测航天器器件 
辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
《现代应用物理》2023年第2期170-175,共6页谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 
微电子预先研究基金资助项目(31513040106)。
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 
22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究被引量：2
《微电子学》2022年第6期1076-1080,共5页崔旭 崔江维 郑齐文 魏莹 李豫东 郭旗 
中国科学院青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003);国家自然科学基金资助项目(11805268,12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06)
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐...
关键词：体硅nFinFET 总剂量辐射效应 辐照偏置 
180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮 孙伟锋 
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...
关键词：总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存 
环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第9期908-914,共7页蒲晓娟 冯皓楠 梁晓雯 魏莹 余学峰 郭旗 
国家自然科学基金资助项目(11805268)。
开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究。采用^(60)Coγ射线对三款国内外生产的SiCMOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175...
关键词：SiC金属氧化物半导体 总剂量效应 温度 静态参数 
一种抗总剂量辐射带隙基准电压源被引量：2
《微电子学》2022年第4期562-565,共4页胡永菲 王忠焰 杨洋 杜宇彬 刘虹宏 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
设计了一种标准CMOS工艺下抗总剂量辐射(TID)的带隙基准电压源。分析了传统结构在辐射环境下的固有缺陷。利用二极管正向导通电压受电流影响较小的特性,提高了带隙基准电压源的抗总剂量辐射能力。该基准电压源包含启动电路、基准核和自...
关键词：带隙基准源 抗总剂量辐射 二极管 自偏置 
一种四通道高压抗辐射12位DAC
《微电子学》2022年第4期582-586,共5页王忠焰 胡永菲 髙炜祺 
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(614280205020417)。
基于0.6μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出,保证了DAC良好的单调性,提高了抗辐射能力。该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm。测试...
关键词：高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐射 
高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：2
《微电子学》2022年第4期706-710,共5页黄柯月 吴中华 周淼 陈伟中 王钊 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034)。
对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(F...
关键词：总剂量辐射 SOI pLDMOS 击穿电压 辐射陷阱电荷 
全选清除导出
共13页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部