总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
《北京航空航天大学学报》2025年第2期389-396,共8页郭仲杰 卢沪 刘楠 吴龙胜 
国家自然科学基金(62171367);陕西省重点研发计划(2021GY-060);陕西省创新能力支撑计划(2022TD-39);西安理工大学校企协同基金(252062109)。
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实...
关键词：总剂量辐射效应 加固设计 Buck-Boost转换器 误差放大器 实时监测 
FinFET器件总剂量效应及加固研究进展
《环境技术》2025年第1期50-57,共8页田常湘 丁雪萍 刘宇 粟嘉伟 张喆垚 林雪梅 
随着FinFET器件在航空航天、核能及军事等高辐射环境中的广泛应用,其在总剂量辐射效应(Total Ionizing Dose,TID)下的性能可靠性成为重要研究课题。本文阐述了FinFET器件的基本原理及其在TID效应下的性能影响,讨论了关于FinFET TID效应...
关键词：FinFET器件 总剂量辐射效应 模拟模型工具 加固方法 
nFinFET低温总剂量效应的研究
《自动化技术与应用》2024年第10期167-170,共4页蒋继成 姚钢 张玉宝 王强 
2023年黑龙江省科学院科学研究院基金项目计划(KY2023YZNY02)。
为研究nFinFET的低温总剂量辐射效应和器件损伤机理,对16 nm工艺体硅nFinFET在300K和77K温度下进行60Co-γ射线辐照试验,总剂量为1 Mrad(Si),利用半导体测试仪测试关键电参数性能。结果表明,300K辐照后器件特性几乎无变化,而77K辐照后...
关键词：低温总剂量辐射效应 FinFET器件 深空探测航天器器件 
辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
《现代应用物理》2023年第2期170-175,共6页谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 
微电子预先研究基金资助项目(31513040106)。
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 
22 nm体硅nFinFET总剂量辐射效应研究被引量：2
《微电子学》2022年第6期1076-1080,共5页崔旭 崔江维 郑齐文 魏莹 李豫东 郭旗 
中国科学院青年创新促进会资助项目(2018473);中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003);国家自然科学基金资助项目(11805268,12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06)
通过^(60)Coγ射线辐照试验,研究了22 nm工艺体硅nFinFET的总剂量辐射效应,获得了总剂量辐射损伤随辐照偏置和器件结构的变化规律及损伤机理。研究结果表明,经过开态(ON)偏置辐照后器件阈值电压正向漂移,而传输态(TG)和关态(OFF)偏置辐...
关键词：体硅nFinFET 总剂量辐射效应 辐照偏置 
180 nm嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
《物理学报》2022年第23期347-354,共8页陈晓亮 孙伟锋 
抗辐射嵌入式闪存工艺在航空航天领域应用广泛,其中高压NMOS器件对总剂量辐射效应最敏感,对该器件进行加固是提高芯片抗辐射能力的关键之一.本文采用浅槽隔离(STI)场区离子注入工艺对180 nm嵌入式闪存工艺中的高压NMOS器件进行加固,实...
关键词：总剂量辐射效应 工艺加固 高压器件 嵌入式闪存 
MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究被引量：2
《电子与封装》2020年第12期66-70,共5页吴素贞 徐政 徐海铭 宋思德 谢儒彬 洪根深 吴建伟 贺琪 
通过对MIS型GaN HEMT器件在不同电偏置条件下进行X-ray辐射试验,研究了MIS型GaN阈值电压对辐射总剂量(TID)的响应规律,分析了绝缘栅介质/Al GaN叠层结构在500 krad总剂量过程中的电荷积累行为。结合辐射导致的空穴积累和外加偏压导致的...
关键词：GaN HEMT MIS栅结构 X-ray总剂量辐射效应 阈值电压 
总剂量辐射中偏压对功率管的影响研究被引量：3
《微电子学》2019年第6期842-846,共5页周枭 罗萍 凌荣勋 吴昱操 蒋鹏凯 
国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117)
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响。根据辐照过程中SiO2内部和Si-SiO2界面处感生的陷阱电荷的积累情况,推测出较恶劣的偏压条件。将40 V耐压的NLDMO...
关键词：总剂量辐射效应 偏压 MOS功率管 退化 
新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应被引量：2
《物理学报》2019年第16期344-352,共9页王硕 常永伟 陈静 王本艳 何伟伟 葛浩 
国家自然科学基金(批准号:61574153)资助的课题~~
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅...
关键词：静态随机存储器单元 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 体接触 
TiN/HZO/HfO2/Si铁电晶体管栅结构的60Coγ射线总剂量辐射效应被引量：1
《湘潭大学学报（自然科学版）》2019年第3期97-103,共7页孙琦 曾诗妍 付秀涛 刘巧玲 彭强祥 周益春 
该文制备了TiN/Hf0.5Zr0.5O2(HZO)/HfO2/Si(MFIS)型的铁电晶体管栅结构,并在常规实验环境下对其进行了P-E、J-E、疲劳和保持等的电学性能测试.结果表明这种基于铪系氧化物的栅结构具有优良的电学性能,2Pr可达30μC/cm^2,2Ec约为6.8MV/cm...
关键词：HZO铁电薄膜 MFIS 总剂量电离辐射 
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