绝缘体上硅

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基于绝缘体上硅纳米线的布拉格相移光栅
《光通信研究》2024年第6期62-65,共4页秦志斌 姚飞 肖经 韦启钦 
国家自然科学基金资助项目(62164004);广西区科技创新驱动专项资助项目(桂科计字〔2022〕68号)。
基于金属互连的电子集成芯片串扰、延迟、散热以及功耗等问题日益凸显,已经难以满足日益增长的数据处理需求。光电集成技术作为下一代互连技术,随着其不断发展,业界对光电器件尺寸和性能的要求越来越高。【目的】为了能够兼顾布拉格相...
关键词：相移光栅 波长选择 布拉格光栅 绝缘体上硅 
薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
强约束环境中高精度微型集成式压力传感芯片设计
《传感器与微系统》2024年第11期81-85,共5页王曦 温鹏 
针对强约束环境中多路集成压力测量传感器的应用需求,设计了一种可适应有限空间、宽温区、高精度的微型压力传感器芯片。首先,分析了强约束环境对压力传感芯片设计的性能影响因素,从硅材料晶体结构选择、掺杂浓度控制和硅薄膜厚度3个方...
关键词：强约束环境 压力传感器 芯片设计 绝缘体上硅 高精度 
侧向选区异质外延绝缘体上硅的Ⅲ-Ⅴ族有源器件(特邀)
《激光与光电子学进展》2024年第19期74-80,共7页薛莹 刘纪美 
大学教育资助委员会(16213420);香港创新科技基金(ITS/226/21FP)。
Ⅲ-Ⅴ族有源器件及其与无源器件的高效耦合集成是硅光子技术得以进一步发展的核心。将高性能的Ⅲ-Ⅴ族有源器件通过异质外延集成在硅片上,可以实现晶圆级硅光子集成电路,从而以低成本、高通量、大带宽和大规模集成来充分发挥硅光子的优...
关键词：硅光子 激光器 光电探测器 侧向选区外延 
热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响
《微纳电子技术》2024年第10期170-176,共7页李培仪 刘东 雷程 梁庭 党伟刚 罗后明 
国家重点研发计划(2023YFB3209100);中央引导地方科技发展资金项目(YD2JSX20231B006);山西省重点研发计划(202302030201001)。
采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后...
关键词：传感器 绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片 正装芯片 倒装芯片 老化 
噪声系数最小1.6 dB有高带外抑制的5~6 GHz射频接收前端芯片
《浙江大学学报（工学版）》2024年第10期2192-2198,共7页傅海鹏 程志强 
国家自然科学基金资助项目(62074110);国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202500).
为了满足射频通信前端接收部分对高线性与带外信号抑制能力的要求,基于130 nm绝缘体上硅工艺设计并实现工作在5~6 GHz的射频接收前端芯片.该前端芯片由带有旁路和带外抑制功能的低噪声放大器(LNA)、射频开关和带隙基准偏置电路等组成....
关键词：低噪声放大器(LNA) 带外抑制 绝缘体上硅工艺 射频接收前端 有源偏置 
绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术分析
《通讯世界》2024年第9期28-30,共3页马良 
绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺...
关键词：绝缘体 硅功率半导体 单芯片 集成技术 
2μm波段Ge-on-SOI光电探测器的TPA探测
《光通信研究》2024年第4期68-72,共5页胡志涛 王柱天 欧阳越华 黄龙鑫 庞拂飞 叶楠 宋英雄 
国家自然科学基金资助项目(62175143)。
【目的】随着光通信技术的快速发展,工作在传统通信窗口的光通信系统未来可能会面临通信“波段紧缩”的状况。而在2μm波段,空芯光子带隙光纤的损耗可以低至0.2 dB/km,掺铥光纤放大器(型号为CTFA)在2μm波段的增益峰值可达30 dB,这些高...
关键词：2μm波段 双光子吸收 Ge-on-绝缘体上硅光电探测器 
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维 黄柯月 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
关键词：辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流 
双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 
国家自然科学基金资助项目(U2267210)。
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...
关键词：绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转 
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