静态随机存储器

作品数：200被引量：295H指数：8
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：彭春雨吴秀龙蔺智挺卢文娟陈军宁更多>>
相关机构：安徽大学上海华力微电子有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
《现代应用物理》2024年第4期40-46,58,共8页王春林 高见头 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 
国家自然科学基金资助项目(U2267210)。
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir...
关键词：绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转 
便笺式存储器中一种新颖的交错映射数据布局
《计算机工程》2024年第5期33-40,共8页曾灵灵 张敦博 沈立 窦强 
国家自然科学基金面上项目(61972407)。
现代计算机一直沿用传统的线性数据布局模式,该模式允许对使用行主序模式存储的二维矩阵进行高效的行优先数据访问,但是增加了高效执行列优先数据访问的复杂性,造成列优先访问的空间局部性较差。改善列优先数据访存效率的常见解决方案...
关键词：矩阵转置 单指令多数据 便笺式存储器 数据布局 静态随机存储器 
可兼容四种March系列算法的PMBIST电路设计
《黑龙江大学自然科学学报》2024年第2期242-252,共11页杨鹏 曹贝 付方发 王海新 
国家自然科学基金资助项目(61504032)。
存储器是系统级芯片(System on chip,SoC)中最重要的组成部分之一,也是最容易出现故障的部件。存储器故障可能会导致整个SoC失效,对存储器进行充分的测试和验证是至关重要的。目前,主流的存储器测试方法是采用存储器内建自测试(Memory b...
关键词：静态随机存储器 故障模型 March系列+算法 存储器内建自测试 
130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
《原子能科学技术》2024年第2期506-512,共7页肖舒颜 郭刚 王林飞 张峥 陈启明 高林春 王春林 张付强 赵树勇 刘建成 
为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律...
关键词：总剂量效应 单粒子效应 协和效应 单粒子翻转 静态随机存储器 
不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响被引量：1
《辐射研究与辐射工艺学报》2023年第6期108-113,共6页张付强 陈启明 龚艺豪 肖舒颜 张铮 马旭 赵树勇 郑宏超 张健鹏 郭刚 
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂...
关键词：静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 特征尺寸 
SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法
《航天器环境工程》2023年第6期622-629,共8页王玉才 刘艳 曹荣幸 李红霞 刘洋 郑澍 韩丹 薛玉雄 
国家自然科学基金项目(编号:12004329);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项(编号:SKLIPR2115);江苏省研究生实践创新计划项目(编号:SJCX22_1704);扬州宽禁带半导体电子材料与器件实验室开放基金项目(编号:YZ202026301,YZ202026306)。
为揭示静态随机存储器(SRAM)辐射效应以及内部电荷收集变化规律,从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑,针对器件在轨单粒子翻转(SEU),提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。首先通过器件级和电路级仿真相结合...
关键词：静态随机存储器 单粒子效应 器件级仿真 电路级仿真 三维敏感区 
基于单片机的SRAM测试系统设计被引量：1
《电子制作》2023年第16期73-75,共3页吴海平 杜凯 黄菊莲 何海莹 李燕 
我国电子行业发展速度快、水平高,对于芯片的需求量日益增大,因此对自主研发的元器件功能、性能、质量可靠性和环境适应性提出了更高的要求。以静态随机存储器SRAMHRSR88512J为研究对象,通过MarchC+算法对其在应用环境下的功能、性能、...
关键词：功能测试 电参数测试 静态随机存储器 可靠性 
55 nm工艺静态随机存储器的软错误率预测
《微处理机》2023年第4期4-7,共4页曹雪兵 刘淼 李倩 
针对重离子诱导的55nm工艺静态随机存储器中的单粒子翻转现象,采用Geant4蒙特卡洛仿真方法对其软错误率展开研究与预测。仿真采用不同种类和能量的重离子,评估SRAM的翻转截面及多单元翻转的概率。通过分析不同能量、不同入射角度的重离...
关键词：静态随机存储器 单粒子翻转 多单元翻转 蒙特卡洛仿真 软错误率预测 
双端口SRAM抗写干扰结构的优化设计被引量：2
《半导体技术》2023年第7期617-623,共7页李学瑞 秋小强 刘兴辉 
辽宁省自然科学基金资助项目(2021-MS-148)。
针对双端口静态随机存储器(SRAM)通常存在写干扰而导致数据写入困难的问题,基于经典位线电平复制技术提出了一种新型的位线电平复制结构。基于SMIC 28 nm CMOS工艺对位线电平复制结构进行设计,通过优化控制逻辑的组合电路,缩短位线电平...
关键词：双端口静态随机存储器(SRAM) 位线电平复制 写干扰 控制逻辑 数据写入时间 
总剂量与单粒子协合效应对SRAM单粒子翻转敏感性影响的仿真研究被引量：1
《航天器环境工程》2023年第2期170-178,共9页刘艳 曹荣幸 李红霞 赵琳 韩丹 刘洋 郑澍 曾祥华 薛玉雄 
国家自然科学基金项目(编号:12004329);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室专项经费项目(编号:SKLIPR2115);江苏省研究生实践创新计划项目(编号:SJCX22_1704);扬州宽禁带半导体电子材料与器件实验室开放基金项目(编号:YZ202026301,YZ202026306)。
静态随机存储器(SRAM)在空间环境中可能会受到总电离剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE)协合作用的影响,导致器件单粒子翻转(SEU)的敏感性发生改变。文章针对90 nm的SRAM器件,通过器件级和电路级的综合仿真手段,利用计算机辅助设计(TCAD)...
关键词：静态随机存储器 总电离剂量 单粒子效应 单粒子翻转 协合效应 仿真研究 
全选清除导出
共20页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部