绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术分析  

作　　者：马良[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局电学发明审查部,北京100091

出　　处：《通讯世界》2024年第9期28-30,共3页Telecom World

摘　　要：绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺模式及集成工艺平台,并利用发射极、漂移区、集电极优化技术,通过检测半导体单芯片的可靠性、稳定性以及灵敏度,测试绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术的应用效果。

关 键 词：绝缘体 硅功率半导体 单芯片 集成技术 

分 类 号：TP211[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]