横向扩散金属氧化物半导体

作品数：33被引量：42H指数：4
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薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
国产功率芯片射频解冻模块设计与应用
《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》2024年第5期633-640,共8页南敬昌 戴涛 丛密芳 
国家自然科学基金项目(61971210)。
为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力,基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffusedmetaloxidesemiconductors,LDMOS)功率芯片,提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路...
关键词：国产化 功率放大器 横向扩散金属氧化物半导体 射频解冻 大功率 
SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
《半导体技术》2024年第8期758-766,共9页王永维 黄柯月 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化...
关键词：辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流 
200 V全碳化硅集成技术
《电子学报》2024年第7期2183-2189,共7页顾勇 马杰 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 
国家自然科学基金(No.62274032,No.62174029);江苏省科技成果转化专项资金项目(No.BA2022005)~~。
本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物...
关键词：碳化硅(SiC) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体 
SiC功率LDMOS器件发展现状及新进展被引量：1
《半导体技术》2023年第11期949-960,共12页杨帅强 刘英坤 
集成化和小型化是未来电力电子技术的发展方向,SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件兼有SiC材料优势和LDMOS器件优势,击穿电压高、比导通电阻低、易与其他器件集成,在单片功率集成和小型化应用中起着重要的作用,但受限于晶圆材料...
关键词：SiC-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 衬底 晶面 器件结构 击穿电压 比导通电阻 
960~1400 MHz宽带功率放大器设计被引量：2
《电子技术应用》2023年第4期52-56,共5页程素杰 姚小江 丛密芳 王为民 高津 
基于横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,研制了一款应用于L波段的宽带射频功率放大器。该放大器共由2级放大级联组成,为了实现宽带以及良好的输出驻波,末级功放采用平衡式拓扑电路结构;级间匹配网络使用微带线及电容混合匹配方法实...
关键词：横向扩散金属氧化物半导体 L波段 宽带 级联 
高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究被引量：1
《辐射研究与辐射工艺学报》2022年第5期82-88,共7页初飞 陈洪转 彭领 王瑛 宁静怡 
针对宇航级功率集成电路中横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件抗单粒子辐射性能低的问题,开展了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术的研究,采用重掺杂P+well及漏区缓冲层结构设计了一种耐压为60 V的N型LDMOS器件。利用TCAD软件对重掺杂P+w...
关键词：功率集成电路 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
埃赋隆为地面移动电台应用推出业界最好的12V LDMOS功率放大器
《半导体信息》2019年第5期12-13,共2页
埃赋隆半导体(Ampleon)发布了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管产品线,加强其地面移动电台业务。这一新的12VLDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术,其应用范围包括商业、公共安全和国防移动无线电应用。新的12VLD...
关键词：移动电台 工作频率范围 UHF频段 功率放大器 塑料封装 LDMOS 横向扩散金属氧化物半导体 公共安全 
千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
《现代雷达》2019年第9期76-82,共7页黄乐旭 应贤炜 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并...
关键词：硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管 
功率NLDMOS电学安全工作区的版图设计优化被引量：1
《半导体技术》2019年第8期623-627,658,共6页陈轶群 陈佳旅 蒲贤勇 
在不调整制备工艺、不增加工艺成本条件下,研究了管芯版图优化对功率n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)电学安全工作区(E-SOA)的影响。通过研究p^+带嵌入方式、p^+图形形状、p^+分布密度、阵列单元栅宽及总栅数、金属引线方式等进行...
关键词：功率管 n型横向扩散金属氧化物半导体(NLDMOS) 版图设计 电学安全工作区(E-SOA) 传输线脉冲(TLP) 
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