微波功率晶体管

作品数：38被引量：30H指数：3
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相关作者：王佃利傅义珠王因生潘宏菽张树丹更多>>
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微波功率晶体管增益-频率研究
《微处理机》2019年第6期11-15,共5页刘秋妤 李媛 
电流放大倍数与特征频率是衡量微波晶体管电学性能的重要参数,二者之间存在相互制约的关系。利用TCAD半导体器件仿真软件对双极型硅微波晶体管结构、工艺及输出特性进行仿真研究。以提高硅微波晶体管增益带宽积为目标,着重研究外延层掺...
关键词：双极型晶体管 微波晶体管 电流放大倍数 特征频率 TCAD仿真 
千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究
《现代雷达》2019年第9期76-82,共7页黄乐旭 应贤炜 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并...
关键词：硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管 
2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第6期401-405,共5页应贤炜 王佃利 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 
针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管 
1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第3期207-212,共6页应贤炜 王建浩 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 
针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%...
关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管 
S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
《半导体技术》2012年第4期321-325,共5页童亮 彭浩 高金环 黄杰 
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根...
关键词：硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段 
Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计
《半导体技术》2011年第8期639-642,650,共5页童亮 彭浩 高金环 黄杰 
温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两...
关键词：加速寿命试验 可靠性 试验夹具 Si微波功率管 步进应力试验 
硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索被引量：1
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第1期28-31,共4页潘金辉 来萍 李斌 廖超 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金项目(9140C030201060C0304)资助
首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一...
关键词：微波功率晶体管 参数退化 功率增益 饱和压降 击穿电压 
微波功率晶体管的热失效分析被引量：4
《半导体技术》2008年第9期807-809,共3页刘红兵 许洋 
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)...
关键词：微波功率晶体管 热失效 热阻 剪切力 
微波功率晶体管的激励功率选取
《火控雷达技术》2008年第2期69-72,共4页杜丽军 袁同山 汪邦金 
对于C类工作的固态微波功率管,降低工作电压是提高其可靠性的有效手段。文中就某功率管在工作电压降低的情况下,给出激励功率合理选择所必须考虑的综合因素:输出功率、工作效率、脉内顶降、增益平坦度。并给出影响工作效率、脉内顶降的...
关键词：固态微波功率管 激励功率 工作效率 
硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2007年第6期4-7,共4页廖超 来萍 李斌 崔晓英 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金项目(9140C030201060C0304)资助
介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理。
关键词：微波功率晶体管 功率增益 失效机理 退化 
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