硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究  

Study on the Gain Degradation Mechanism of the Silicon Microwave Pulsed Power Transistor

作　　者：廖超[1] 来萍[2] 李斌[1] 崔晓英[2] 

机构地区：[1]华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州510640 [2]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2007年第6期4-7,共4页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金项目(9140C030201060C0304)资助

摘　　要：介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理。In this paper, the development history and application status of silicon microwave pulsed power transistors are presented. With respect to the gain degradation of silicon microwave pulsed power transistors, the failure mechanism is obtained based on the statistical analysis of the DC parameters of the silicon microwave pulsed power transistors.

关 键 词：微波功率晶体管 功率增益 失效机理 退化 

分 类 号：TN61[电子电信—电路与系统]