饱和压降

作品数：75被引量：137H指数：6
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基于老化补偿的功率模块全生命周期在线结温监测方法被引量：3
《电工技术学报》2024年第12期3705-3717,共13页郑丹 宁圃奇 仇志杰 范涛 温旭辉 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB2500600)。
功率模块结温在线监测对提升系统性能和可靠性具有重要意义。应用导通饱和压降和电流对结温进行估计,对测量带宽要求不高,对硬件和算法的侵入性低,是比较理想的结温在线监测方法。但是传统的测量方法很难满足结温精度要求,另外长期工作...
关键词：结温在线监测 导通饱和压降 高精度测量 老化补偿 参数辨识 
特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)
《汽车维修与保养》2024年第3期55-57,共3页蔡元兵 
(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 饱和压降 开关速度 场效应管 双极型三极管 GTR 高输入阻抗 
IGBT结温与饱和压降耦合机理研究
《船电技术》2024年第3期23-26,共4页厉孟 王俊炎 杜会卿 梁帅 
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温是影响变流器系统寿命、评估其可靠性的重要参数,而集-射极饱和压降是实现结温在线监测的关键热敏电参数。为深入研究IGBT结温与集-射极饱和压降间的耦合关系,本文从物理结构层面构建了IGBT饱和压降温度特...
关键词：IGBT 饱和压降 结温 特性测试 
光伏户用组串式逆变器
《世界电子元器件》2023年第12期49-49,共1页
应用描述组串式逆变器主要应用于分布式光伏发电系统,包括户用、工商业屋顶以及光伏扶贫等中小型发电项目中,用户对于发电系统的智能化要求更高,拥有更多数据收集、管理、监控等功能的逆变器将成为发展的主要趋势。功率开关器件是逆变...
关键词：组串式逆变器 分布式光伏发电系统 功率开关器件 饱和压降 分立器件 数据收集 光伏 发电项目 
基于导通饱和压降的IGBT器件结温在线提取方法被引量：3
《机车电传动》2023年第5期170-176,共7页王泽群 田小宇 宋致儒 宋文胜 
国家级学生科研训练计划项目(202210613032)。
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)模块的结温与工作性能、寿命及其可靠性密切相关,实现IGBT结温在线监测对电力电子系统可靠性提升与服役寿命的延长有着重要意义。文章基于IGBT的导通压降,分别构建了小电流...
关键词：IGBT模块 导通压降 结温测量 小电流下的饱和压降法 大电流下的饱和压降法 
CRH5型动车组用IGBT器件寿命评估被引量：1
《铁道机车与动车》2022年第12期36-38,共3页高永军 曹林 叶娜 李萍 吴磊 蒲红萍 
半实物仿真计算结果表明,CRH5型动车组四象限整流侧IGBT器件寿命大于逆变侧。典型线路计算时,器件最小寿命约为780万km;进行寿命相关的测试表明,与全新同型号IGBT器件相比,运行480万km的IGBT器件芯片及DBC焊层超声波扫描未出现分层现象...
关键词：CRH5型动车组 IGBT器件寿命 饱和压降 焊层超声波扫描 键合点推拉力 
CRH5型动车组用IGBT器件寿命评估
《电工技术》2022年第22期102-104,共3页谌娟 于凯 安军鹏 
2020年度山西省揭榜招标项目(编号20201101017)。
半实物仿真计算结果表明,CRH5型动车组四象限整流侧IGBT器件寿命长于逆变侧,机车频繁进站会降低IGBT器件寿命。典型线路计算时,最小寿命约为780万km。与寿命相关的测试表明,与全新同型号IGBT器件相比,运行480万km的IGBT器件芯片及DBC焊...
关键词：IGBT器件寿命 CRH5型动车组 饱和压降 焊层超声波扫描 键合点推力 
高压达林顿晶体管FHD1071的热稳定性设计
《微处理机》2022年第3期25-29,共5页张小平 高广亮 陈浩 刘帅 伏思燕 苏舟 
为进一步探索高压达林顿晶体管的技术优势与潜力,以产品FHD1071为例,对器件的结构、工艺及可靠性进行全面的设计改进,重点考虑热稳定性,同时保证耗散功率和电流容量满足要求。改进设计采用穿通电压结构,既保证正常的击穿电压,又大大减...
关键词：高压达林顿晶体管 热稳定性 热阻 饱和压降 
半导体GaN功率开关器件的结构改进被引量：1
《电源学报》2020年第4期186-192,共7页杨媛媛 
因氮化镓GaN(gallium nitride)材料自身的物理性质优势,该材料更适用于高温且大功率电子器件的制作。但目前GaN材料制作的功率开关器件存在反向饱和漏电现象,业界一直以进一步发挥GaN性能为目的展开研究,GaN材料的全面实用化应用也面临...
关键词：绝缘栅混合阳极二极管 GaN功率开关 欧姆金属 饱和压降 
一种复合栅结构IEGT器件设计被引量：1
《微电子学与计算机》2019年第9期99-102,108,共5页韩健 陈斌 顾悦吉 
国家02专项(2011ZX02509-002)
在传统平面栅IEGT器件基础上,设计了一种复合栅结构IEGT器件,器件兼容了电子注入增强和载流子存储层技术.器件纵向延展的沟槽栅增加器件有效栅极长度而不额外增加栅极面积,提高N-漂移区内部的载流子浓度.沟槽的存在能够减小P型基区侧面...
关键词：IEGT 沟槽 N型阻挡层 饱和压降 栅氧化层 
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