栅氧化层

作品数：125被引量：195H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：孙伟锋时龙兴陆生礼马万里张波更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司微电子有限公司东南大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划博士科研启动基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于TDDB的数字隔离器寿命测试系统
《现代电子技术》2025年第6期39-44,共6页李梓腾 王进军 陈炫宇 王凯 
陕西省教育厅科研计划专项项目:AlGaN/GaN HEMT电力电子器件的优化与性能研究(18JK0103)。
为评估数字隔离器在长期使用过程中的稳定性和寿命,提出一种基于经时击穿(TDDB)的寿命测试系统,通过自动化和多路并行测试来提升测试效率。具体方法包括设计一个支持16路同时进行测试的系统,使用DSP控制程序和上位机软件进行数据处理,...
关键词：数字隔离器 经时击穿 寿命测试 可靠性评估 栅氧化层击穿 回路电流监测 
高k栅介质的TDDB效应
《安徽大学学报（自然科学版）》2024年第5期52-56,共5页任康 贡佳伟 丁俊贤 王磊 李广 
安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME123,2208085J16);安徽大学大学生创新创业训练计划项目(X202110357011)。
半导体工艺进入45 nm以后,使用高k栅介质HfO_(2)代替传统的SiO_(2),解决了因栅氧化层变薄而引起的栅极漏电流过大的问题.经时击穿(time dependent dielectric breakdown,简称TDDB)效应的寿命时间是衡量栅氧化层质量的重要因素,然而高k...
关键词：高k 栅介质 经时击穿效应 栅氧化层 HfO_(2) 
SiC MOSFET栅极氧化层缺陷检测
《电子显微学报》2024年第2期190-199,共10页龚瑜 黄彩清 
国家高技术研究发展计划(863计划)(No.2008AA000000).
SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域。而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分。本文根据SIC MOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行研究,提出了一...
关键词：碳化硅 晶圆缺陷 栅氧化层缺陷 高温栅偏实验 
栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响被引量：1
《半导体技术》2023年第6期463-469,共7页刘兆慧 尉升升 于洪权 尹志鹏 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61874017)。
阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时...
关键词：SiC MOSFET 阈值电压不稳定性 栅氧化层陷阱电荷 界面陷阱电荷 可动电荷 
减少栅氧化层湿法刻蚀过程中侧掏的改善方法
《集成电路应用》2023年第4期44-47,共4页李冰寒 卞仙 高超 
阐述传统CMOS双栅工艺或三栅工艺通常包含多种不同工作电压的晶体管,这些不同工作电压的晶体管采用不同厚度的栅氧化层,一般通过湿法刻蚀实现。在湿法刻蚀过程中,去除剂侧掏导致中压或高压晶体管栅氧化层偏薄的现象普遍存在。针对这一...
关键词：集成电路制造 栅氧化层 湿法刻蚀 侧掏 黏附性 
4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件被引量：3
《电子元件与材料》2022年第4期376-380,共5页张跃 张腾 黄润华 柏松 
国家自然科学基金(12035019)。
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFE...
关键词：4H-SIC 台阶型沟槽 MOSFET 栅氧化层 尖峰电场 FOM值 
重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析
《固体电子学研究与进展》2022年第2期141-145,共5页何玉娟 雷志锋 张战刚 章晓文 杨银堂 
研究了重离子单粒子辐照(Single event effect,SEE)效应对超薄栅氧化层(1.2 nm厚度)的斜坡击穿电压(Voltage ramp dielectric breakdown,VRDB)的影响情况。采用^(209)B(i离子能量为1043.7 MeV)对65 nm CMOS电容进行(1~2)×10^(7) ion/cm...
关键词：重离子单粒子辐射 VRDB试验 超薄栅氧化层 
纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期172-179,共8页任晨 曹艳荣 张龙涛 吕航航 马毛旦 吕玲 郑雪峰 
国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040),北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。
利用Silvaco TCAD软件,研究了电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿真模型,分3种情况探究了TID效应影响下,场氧化层和栅氧化层对NMOSFET的阈值电压、漏电流和跨导的影响...
关键词：TCAD仿真 NMOSFET 总剂量效应 氧化层 
40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析被引量：2
《现代应用物理》2022年第1期180-185,共6页何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙 
国家自然科学基金资助项目(11690043,11690040)。
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产...
关键词：电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层 
功率半导体器件栅氧化层状态监测方法综述与展望被引量：4
《电子测量与仪器学报》2021年第11期1-11,共11页何怡刚 孙豪 袁伟博 张学勤 
国家自然科学基金(51977153,51977161,51577046);国家自然科学基金重点项目(51637004);国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”项目(2016YFF0102200);装备预先研究重点项目(41402040301)资助。
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研究对确保功率器件的高可靠性具有重要意义。从栅氧化层退化的微观机理出发,建立相关特征参数与栅氧化层...
关键词：功率半导体器件 MOSFET IGBT 栅氧化层 米勒效应 状态监测 
全选清除导出
共13页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部