MOSFET

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基于瞬态漏源电流变化的SiC MOSFET陷阱表征
《半导体技术》2025年第5期459-467,共9页高博文 杜颖晨 张亚民 
国家自然科学基金重点项目(62334002);国家自然科学基金面上项目(62074009);北京市自然科学基金-小米创新联合基金(L233023)。
SiC MOSFET栅极氧化物附近存在的陷阱缺陷造成其在高温高压场景下出现许多可靠性问题。提出了完整的基于瞬态电流法的陷阱表征方案,结合贝叶斯迭代反卷积算法实现对陷阱位置、时间常数和激活能的表征。基于自建陷阱测试平台在栅极和漏...
关键词：SiC MOSFET 陷阱表征 瞬态电流法 时间常数谱 贝叶斯迭代反卷积 
非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
《原子能科学技术》2025年第4期957-965,共9页王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
新型航天器对千伏级抗辐照SiC器件有迫切需求,为了给SiC MOSFET抗单粒子栅穿加固设计提供理论依据,对1 200 V非对称沟槽SiC MOSFET开展了单粒子栅穿效应研究。试验结果表明,在200 V、300 V的漏极偏置电压下进行辐照,辐照期间和辐照后器...
关键词：碳化硅 MOSFET 单粒子效应 单粒子栅穿 辐照效应 
集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期309-316,共8页孙佳萌 付浩 魏家行 刘斯扬 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(62004037)。
针对SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在功率模块续流过程中引起的高续流损耗问题,提出集成低势垒二极管的SiC MOSFET(LBD-MOS)结构。对LBD-MOS和传统的SiC MOSFET(CON-MOS)在相同面积下的总功耗进行研究,仿真结果表明,LBD-MO...
关键词：SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 集成低势垒二极管 导通功耗 续流功耗 开关功耗 反向恢复功耗 
Buck开关电源MOSFET损耗分析
《汽车工程师》2025年第4期10-16,共7页廖波 李伟亮 赵目龙 吕佳文 杨莉 
为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算,分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的导通和关断过程,对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导,针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果...
关键词：开关电源 MOSFET损耗 BUCK 导通损耗 开关损耗 
全电前轮转弯控制器MOSFET功耗分析与降低
《电力电子技术》2025年第3期62-64,77,共4页雷启华 王东俊 张喜 张夏一 
全电/多电是飞机发展趋势,前轮转弯系统也将向全电化发展,特别是对于无人机,受限于空间和重量,传统的液压驱动前轮转弯系统适用性不强。控制器是全电前轮转弯系统的核心部件,本文设计了以DSP为控制核心的位置伺服控制器,以前轮转弯角度...
关键词：电机 全电前轮转弯系统 位置伺服控制器 
双沟槽SiC MOSFET总剂量效应
《物理学报》2025年第5期147-155,共9页朱文璐 郭红霞 李洋帆 马武英 张凤祁 白如雪 钟向丽 李济芳 曹彦辉 琚安安 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同栅极偏置电压下的60Co-γ辐照实验,并在辐照后进行了室温退火实验.实验结果表明,辐照后器件的阈值电压负向漂移,且在正向栅极偏压下电学性能退化尤为明显.通过分析器件的1/f噪声特性发...
关键词：双沟槽 碳化硅 低频噪声 总剂量效应 
基于多维优化策略的28nm节点MOSFET短沟道效应抑制研究
《信息记录材料》2025年第3期42-45,共4页邱雨辰 张乔峰 蒋本福 潘欣欣 
珠海科技学院线下一流课程项目(ZLGC20220106);珠海科技学院专业负责人培养项目。
本研究提出一种基于多维优化策略的28 nm节点金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)短沟道效应抑制方法。通过计算机辅助设计仿真和机器学习辅助分析,系统研究栅氧化层材料、厚度、...
关键词：多维优化策略 短沟道效应 漏致势垒降低效应 亚阈值摆幅 栅介质层 机器学习 
自适应逐周期逼近型SiC MOSFET栅极驱动芯片
《华中科技大学学报(自然科学版)》2025年第3期135-141,共7页张烁 周清越 李超 陈伟铭 刘畅 童乔凌 
国家电网有限公司科技项目(5500-202321512A-3-2-ZN);面向碳化硅器件的自适应多段式驱动芯片关键技术研究。
为了抑制碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开通过程中产生的电流过冲,设计了一种自适应逐周期逼近型SiC MOSFET有源栅极驱动芯片.通过对SiC MOSFET的开通过程的分析,总结出电流过冲的产生机理,提出了抑制电流过冲的方...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 有源栅极驱动 自适应 电流过冲 开通损耗 逐周期逼近 
一种混合型有源中点钳位型三电平逆变器的效率优化与热管理技术
《太阳能学报》2025年第3期373-383,共11页冯之健 赵树哲 孙自祥 张馨元 赵涛 
山东省自然科学基金青年基金项目(ZR2022QE057)。
针对三电平有源中点钳位型(3L-ANPC)逆变器存在调制复杂、难以同时兼顾高效率和散热均衡等问题,提出一种新型Si-SiC混合型3L-ANPC逆变器电路拓扑及调制策略。当输出电压被钳位至中性点时,采用上下桥臂双支路同时导通的续流方式,有效降...
关键词：三电平逆变器 SiC MOSFET 损耗建模 效率分析 热管理 
SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法
《电工技术学报》2025年第4期1129-1144,共16页丁四宝 王盼宝 王卫 徐殿国 
国家自然科学基金资助项目(52377173)。
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了...
关键词：SiC MOSFET Si IGBT 混合开关 开关损耗 信号调制 
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