混合开关

作品数：24被引量：78H指数：6
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路被引量：1
《电工技术学报》2025年第4期1117-1128,共12页肖标 郭祺 涂春鸣 肖凡 龙柳 
国家自然科学基金资助项目(52130704)。
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或...
关键词：SiC/Si混合开关 开关时序 驱动电压 协同控制 驱动电路 
SiC/Si混合开关时间延迟及其信号调制方法
《电工技术学报》2025年第4期1129-1144,共16页丁四宝 王盼宝 王卫 徐殿国 
国家自然科学基金资助项目(52377173)。
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了...
关键词：SiC MOSFET Si IGBT 混合开关 开关损耗 信号调制 
一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路
《中国电机工程学报》2024年第7期2774-2785,I0021,共13页付永升 任海鹏 
陕西省科技厅自然科学基础研究(2022JQ-424);西安工业大学优秀博士论文培育基金项目(YB202203)。
为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr...
关键词：宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 门极驱动电路 耦合电容 
Si/SiC混合开关最优门极延时及其在逆变器中的应用被引量：2
《电子学报》2023年第6期1468-1473,共6页周郁明 穆世路 杨华 王兵 陈兆权 
安徽省自然科学基金(No.2008085ME157);安徽高校自然科学研究项目(No.KJ2020A0247)。
由大电流硅绝缘栅双极型晶体管(Silicon Insulated-Gate Bipolar Transistor,Si IGBT)和小电流碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Silicon Carbon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET)并联构成的Si/SiC...
关键词：Si/SiC混合开关 关断延时 逆变器 转换效率 
12 bit 100 MS/s Flash-SAR混合模数转换器设计
《无线电工程》2023年第6期1421-1429,共9页田芮谦 宋树祥 赵媛 岑明灿 蔡超波 蒋品群 
国家自然科学基金(62061005);广西自然科学基金(2022GXNSFBA035646);广西创新驱动发展专项(AA19254001)。
针对传统逐次逼近型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter,SAR ADC)采样率和能量效率低等问题,设计了一款快闪型(Flash)与逐次逼近型(SAR)相结合的新型混合架构模数转换器。利用快闪型ADC一个时...
关键词：逐次逼近 快闪型模数转换器 新型混合开关切换策略 预放大动态锁存比较器 异步时序 
基于永磁同步电机转子位置变化的混合开关频率调制技术被引量：6
《电气传动》2021年第17期3-9,共7页成海全 邱子桢 陈勇 刘旭 甄冬 
宁波市科技计划项目(2019B10111);河北省研究生创新资助项目(CXZZSS2021030);河北省科技创新战略资助项目(20180104);河北省全职引进高端人才项目(20181228)。
以电动汽车驱动用永磁同步电机为研究对象,提出一种新型混合开关频率调制策略,对其电压源逆变器的高频边带谐波电流优化进行了研究。首先,基于空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术基本原理与实现方式,建立了响应的Matlab/Simulink仿真模型,分...
关键词：永磁同步电机 电磁噪声 开关频率 空间矢量脉宽调制 矢量控制 
一种混合开关电容和开关电感的新型均衡电路被引量：3
《电工电能新技术》2021年第6期57-63,共7页范元亮 吴涵 徐梦然 黄建业 林爽 刘冰倩 
国家电网有限公司总部科技项目(521304190072);国家自然科学基金项目(61802070);福建省工业引导性(重点)项目(2020H0043)。
储能系统中相互串联的多个储能元件之间的容量差异,会导致整个储能系统的有效容量下降。基于开关电容的主动均衡电路可以有效应对容量差异。然而,传统开关电容均衡电路的均衡速度较慢,而串并联开关电容均衡电路则需使用较多的开关器件...
关键词：储能系统 主动均衡 开关电容 开关电感 
SiC-MOSFET与Si-IGBT混合开关车载双向充电器中线桥臂设计及控制被引量：8
《中国电机工程学报》2020年第19期6330-6344,共15页付永升 任海鹏 李翰山 石磊 雷鸣 闫克丁 
为增强电动汽车与电网的互动能力,车载双向充电器已成为现研究的热点。设计采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide-metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管(silicon-i...
关键词：车载双向充电器 碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET) 中线桥臂 三相四线逆变器 虚拟阻抗 控制延时 
碳化硅MOSFET与硅IGBT混合开关特性的研究
《电气技术与经济》2018年第5期61-65,共5页庞一华 张湘 
为了综合利用碳化硅MOSFET与硅IGBT的优势,本文提出了一种并联混合开关,并对其动态特性进行研究。首先根据Datasheet上的转移特性对比SicMOSFET与SiIGBT各自的静态特点。其次,在相同条件下基于双脉冲测试分析了两者动态损耗差异。然后,...
关键词：碳化硅MOSFET 硅IGBT 混合开关 损耗. 
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件综述被引量：15
《电工电能新技术》2018年第10期1-9,共9页宁圃奇 李磊 曹瀚 温旭辉 
国家重点研发计划项目(2016YFB01006024)
综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短Si IGBT的...
关键词：碳化硅芯片 混合开关 门极驱动 功率模块 变频器 
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