碳化硅MOSFET与硅IGBT混合开关特性的研究  

作　　者：庞一华 张湘[1] 

机构地区：[1]西南交通大学电气工程学院

出　　处：《电气技术与经济》2018年第5期61-65,共5页Electrical Equipment and Economy

摘　　要：为了综合利用碳化硅MOSFET与硅IGBT的优势,本文提出了一种并联混合开关,并对其动态特性进行研究。首先根据Datasheet上的转移特性对比SicMOSFET与SiIGBT各自的静态特点。其次,在相同条件下基于双脉冲测试分析了两者动态损耗差异。然后,结合两者各自的特点提出混合开关的结构,并比较了混合开关相对于独立开关的优点,最后对比分析在不同寄生参数条件下混合开关的动态特性。结果表明,混合开关具有更低的开关损耗与导通损耗,相对于独立开关具有更优良的动态特性。

关 键 词：碳化硅MOSFET 硅IGBT 混合开关 损耗. 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] TN322.8