辐照效应

作品数：570被引量：1474H指数：15
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：魏光辉侯民胜任迪远陆妩郭旗更多>>
相关机构：中国科学院西北核技术研究所中国人民解放军军械工程学院西安电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划公益性行业(农业)科研专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
《强激光与粒子束》2025年第5期29-35,共7页叶思恩 黄丹阳 付祥和 赵小龙 贺永宁 
国家自然科学基金项目(62004158)。
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压...
关键词：4H-SiC探测器 双极型晶体管 电子束辐照 响应电流 紫外探测 
CCD图像传感器失效模式及机理分析研究
《集成电路与嵌入式系统》2025年第5期60-65,共6页蔡娜 田智文 季轩 周宇 李昊 张皓东 李艳波 李姗姗 许明康 焦强 
本文结合CCD图像传感器技术发展情况,基于CCD图像传感器高可靠应用需求,系统分析了CCD的产品特性,梳理了CCD主要失效模式,并深入研究了CCD由于静电损伤和辐照环境下的失效机理,并开展了典型试验验证工作,给出了不同辐照条件下失效变化曲...
关键词：CCD 光电探测器 失效模式及机理 静电损伤 辐照效应 电离效应 
非对称沟槽SiC MOSFET单粒子栅穿机理研究
《原子能科学技术》2025年第4期957-965,共9页王立昊 董涛 方星宇 戚晓伟 王亮 陈淼 张兴 赵元富 
新型航天器对千伏级抗辐照SiC器件有迫切需求,为了给SiC MOSFET抗单粒子栅穿加固设计提供理论依据,对1 200 V非对称沟槽SiC MOSFET开展了单粒子栅穿效应研究。试验结果表明,在200 V、300 V的漏极偏置电压下进行辐照,辐照期间和辐照后器...
关键词：碳化硅 MOSFET 单粒子效应 单粒子栅穿 辐照效应 
碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应
《物理学报》2025年第5期267-274,共8页曾天祥 李济芳 郭红霞 马武英 雷志锋 钟向丽 张鸿 王颂文 
国家自然科学基金(批准号:12275230,12027813)资助的课题.
本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象...
关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照 总剂量效应 
太阳辐照效应下的电动汽车交流充电桩的温升验证
《环境技术》2025年第3期106-109,140,共5页夏文峰 
不少电动汽车交流充电桩经常需要在长时间的太阳辐射环境中运作,然而,针对太阳辐射对电动汽车交流充电桩运行稳定性影响的研究却寥寥无几。同时,在电动汽车交流充电桩的相关检测与认证标准中,也并未涵盖对太阳辐射耐受性的具体要求。尽...
关键词：电动汽车交流充电桩 温升试验 太阳辐照效应 
掺杂铁熔石英激光辐照效应的第一性原理计算
《高科技与产业化》2025年第2期41-43,共3页赵哲臻 
本论文采用第一性原理计算结合分子动力学模拟,研究了含有铁杂质熔石英材料在激光辐照作用下电子性质的变化情况,计算并对比了辐照前后含铁杂质熔石英与纯熔石英电子态密度的变化情况。
关键词：熔石英 铁杂质 激光辐照 分子动力学模拟 
核用钛合金辐照效应的研究现状与展望
《稀有金属材料与工程》2025年第1期232-242,共11页胡爽 万明攀 朱特 曹兴忠 
国家自然科学基金(12065005,12265008)。
钛合金因具有高比强度、低密度、耐腐蚀性、抗氧化性、高温稳定性以及低中子截面等特点,逐渐被用作船舶和空间核动力装置的关键部件。为提高钛合金抗辐照性能,推进钛合金在核工程领域广泛应用,不少研究人员在钛合金辐照效应等关键问题...
关键词：核用钛合金 辐照效应 微观结构 力学性能 
磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
《核技术》2025年第1期27-41,共15页方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 
国家自然科学基金(No.11705277);湖北文理学院研究生教育质量工程项目(No.YZ3202405);襄阳市科技计划项目(No.2022ABH006045)资助。
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降...
关键词：磷化铟 高电子迁移率晶体管 辐照效应 辐射诱导缺陷 抗辐射加固 
质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响
《物理学报》2025年第2期137-148,共12页彭治钢 白豪杰 刘方 李洋 何欢 李培 贺朝会 李永宏 
国家自然科学基金(批准号:12005159)资助的课题.
本文通过辐照实验和TCAD仿真,研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T PPD)CMOS图像传感器的饱和输出变化机理.实验采用的质子能量为12 MeV和60 MeV,最高质子注量为2×10^(12)cm^(-2).实验结果表明:12 MeV和60 MeV质子最高注...
关键词：CMOS图像传感器 总剂量效应 饱和输出 满阱容量 转换增益 
铀钼金属燃料辐照后微观结构变化研究进展
《材料导报》2024年第S02期303-307,共5页王星雨 龙斌 汤琪 王华才 朱欣欣 
中核集团“青年英才”项目。
铀钼合金(U-Mo)是目前研究堆、空间堆和特种小型堆等堆用燃料的研究热点。辐照过程中燃料的微观结构会发生一系列改变,这可能影响反应堆运行期间的燃料性能。这些变化主要包括铀钼合金与基体相互作用层的形成、裂变产物的释放(主要是裂...
关键词：金属燃料 铀钼合金燃料 辐照效应 微观结构 
全选清除导出
共57页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部