磷化铟

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磷化铟晶体生长中的离解现象研究
《金属材料与冶金工程》2025年第1期14-19,共6页赵兴凯 韦华 柳旭 权忠朝 叶晓达 韩家贤 王顺金 
云南省科技计划项目(202202AB080018);昆明市春城青年高层次人才创新项目(C202105001)。
磷化铟(InP)在高温下很容易发生离解,抑制其离解成为生长磷化铟晶体的前提。通过实验研究了水平梯度凝固法(HGF)合成InP多晶,以及垂直梯度凝固(VGF)单晶生长过程中工艺条件与晶体离解之间的关系。实验表明:HGF要保持合成炉磷区的温度为...
关键词：磷化铟 离解 多晶合成 单晶生长 
磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
《核技术》2025年第1期27-41,共15页方仁凤 周书星 曹文彧 魏彦锋 汪竞阳 李树森 颜家圣 梁桂杰 
国家自然科学基金(No.11705277);湖北文理学院研究生教育质量工程项目(No.YZ3202405);襄阳市科技计划项目(No.2022ABH006045)资助。
磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)凭借高频、高增益、低噪声等特性,广泛应用于卫星、载人航天、深空探测等空间通信系统中,但空间环境中的电子、质子、中子等高能粒子会影响InP基HEMT性能,降...
关键词：磷化铟 高电子迁移率晶体管 辐照效应 辐射诱导缺陷 抗辐射加固 
从制备到应用:InP量子点的发展与应用前景
《无机化学学报》2024年第11期2105-2123,共19页苏雨 范新莲 殷垚 王琳 
国家重点研发计划(No.2022YFB3602801)资助。
量子点材料具有与尺寸相关的优异光学性能,如发光波长可谐调、发射半峰宽窄、激发范围宽等,应用领域广泛。然而目前主流的量子点普遍含有镉、铅等元素,不利于商业化产品发展。磷化铟(InP)量子点无重金属毒性,光谱范围可覆盖整个可见光区...
关键词：量子点 磷化铟 合成设计 光电器件 荧光探针 
基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远 陈忠飞 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...
关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器 
InP中点缺陷迁移机制的第一性原理计算
《物理学报》2024年第18期112-120,共9页闫丽彬 白雨蓉 李培 柳文波 何欢 贺朝会 赵小红 
国家自然科学基金(批准号:62104260)资助的课题。
磷化铟作为重要的第二代半导体材料,具有禁带宽度大、电子迁移率高、光电转换效率高、抗辐照性能强等优点,是制备航天器电子器件优良材料之一.但空间辐射粒子在磷化铟电子器件中会产生点缺陷,导致其电学性能发生严重下降.本文采用第一...
关键词：磷化铟 第一性原理 点缺陷 迁移 
磷化铟胶体量子点合成及其在敏化太阳能电池中的应用进展被引量：1
《化学试剂》2024年第9期92-104,共13页杨锁龙 余慧龙 
半导体胶体量子点在新型太阳能电池、发光、光电器件和生物医学等领域具有重要的应用价值。目前,对Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族等量子点的合成与应用研究仍然是一个研究热点。磷化铟被认为是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中最有希望替代CdSe和PdS等含镉或含...
关键词：磷化铟 量子点 合成 量子点敏化太阳能电池 应用 进展 
太赫兹片上集成天线过渡
《微波学报》2024年第S1期175-177,共3页杜泽 李虎 段植与 王怀北 詹铭周 
国家自然科学基金(62071089)
本研究提出了一种太赫兹(THz)波段低损耗、低成本片上集成天线过渡模型。基于具有较高电阻率的磷化铟(InP)材料,选择半波偶极子结构设计集成天线,并采用E面被打开的矩形波导设计狭缝宽1.07mm的过渡结构。测试结果表明,背靠背片上集成偶...
关键词：太赫兹 片上集成天线 太赫兹单片集成电路 磷化铟 
低维InP材料的表征和生长机理研究
《发光学报》2024年第5期779-793,共15页牛艳萍 马淑芳 董浩琰 阳智 郝晓东 韩斌 吴胜利 董海亮 许并社 
国家自然科学基金(21972103);山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT007)。
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决...
关键词：磷化铟 纳米线 纳米柱 材料特性 生长机制 
VGF法磷化铟单晶炉加热器对炉内热场分布影响的研究
《人工晶体学报》2024年第5期781-791,共11页艾家辛 万洪平 钱俊兵 韦华 
云南省省市一体化专项(202202AH080009)。
磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体,在通信、航空航天和人工智能等领域具有广泛的应用。InP单晶生长质量的优劣取决于其生长炉内热场的稳定与温控。InP晶体工业生产中广泛采用的垂直梯度凝固(VGF)法是在磷化铟单晶生长炉中构建高温...
关键词：磷化铟单晶 垂直梯度凝固法 热场 数值模拟 半导体 晶体生长 
近地轨道质子和α粒子入射InP产生的位移损伤模拟
《物理学报》2024年第5期85-91,共7页白雨蓉 李培 何欢 刘方 李薇 贺朝会 
国家自然科学基金(批准号:11975179)资助的课题.
磷化铟(InP)材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、耐高温、抗辐照等优点,是制备航天器电子器件的优良材料.近地轨道内的质子和α粒子对近地卫星威胁巨大,其在InP电子器件中产生的位移损失效应是导致InP电子器件电学性能下降的主要因素....
关键词：磷化铟 位移损伤 GEANT4 非电离能量损失 近地轨道 
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