电子束直写

作品数：37被引量：107H指数：6
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相关作者：周常河刘明陈宝钦吴俊朱效立更多>>
相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院微电子研究所中国科学院南京大学更多>>
相关期刊：《西安交通大学学报》《电加工与模具》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
《固体电子学研究与进展》2024年第5期379-383,共5页孙远 陈忠飞 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流...
关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器 
基于单路利特罗型光栅干涉仪的超精密位移测量技术研究被引量：2
《计量科学与技术》2024年第2期40-45,75,共7页朱宏宇 吴益泽 冯婧桐 林子超 禹静 薛栋柏 邓晓 程鑫彬 
国家重点研发计划项目(2022YFF0605502,2022YFF0607600);国家自然科学基金面上项目(62075165)。
基于光栅干涉仪的超精密位移测量技术是先进制造领域的关键共性技术,采用更高刻线密度的光栅是提升光栅干涉仪测量精度与分辨率的有效途径。随着电子束制备光栅技术的提升,采用电子束加工高刻线密度光栅(大于3000线/mm)作为测量基准是...
关键词：计量学 精密位移测量 光栅干涉仪 电子束直写光栅 激光干涉仪 利特罗衍射 
石英基底上亚微米级二元光学元件的电子束直写加工工艺
《微纳电子技术》2023年第3期461-467,共7页黄胜利 凌天宇 徐剑 胡敬佩 付学成 刘民 权雪玲 
2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)。
使用电子束直写加工工艺,在石英基底上完成了亚微米级8台阶二元光学元件的光刻加工。由于石英基底为绝缘体,导电性差,不利于电子束直写时电荷的传导。为了抑制石英基底上电荷的积累,探讨了不同的增强导电技术对电子束直写效果的影响,最...
关键词：石英 亚微米 二元光学元件 电荷积累 电子束直写 
电子束直写大深宽比Si_(3)N_(4)薄膜支撑的光栅X射线准直器被引量：2
《光学精密工程》2022年第10期1181-1188,共8页李艺杰 肖君 陈宜方 童徐杰 穆成阳 
上海STCSM项目(No.19142202700);国家自然科学基金项目(No.61927820)。
为了开发新的X射线准直器,利用电子束光刻(EBL)技术,结合电镀和湿法化学刻蚀工艺,在悬空的Si_(3)N_(4)隔膜上制作了大面积、高深宽比、微米周期的Au光栅。调整场拼接区域的曝光剂量解决了大面积的EBL光刻问题;用加强筋结构克服了制作高...
关键词：X射线准直器 Au光栅 电子束光刻 大深宽比 金电镀 
电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验被引量：1
《光学精密工程》2022年第18期2232-2240,共9页解孟涛 刘俊标 王鹏飞 张雨露 韩立 
中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJSTD20200003);广东省重点领域研发计划项目(No.2020B0101320002)。
电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具。光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于...
关键词：电子束直写 Monte Carlo模拟 吸收能量沉积密度 散射截面 曲面器件 
基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
《固体电子学研究与进展》2021年第1期14-17,23,共5页张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜 
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
电子束直写曝光机的原理与常见问题分析被引量：5
《电子工业专用设备》2020年第2期48-52,共5页郝晓亮 赵英伟 王秀海 曹健 
介绍了电子束曝光的分类和特点,阐述了电子束直写曝光的核心部分-电子光柱体的结构、原理以及工作方式;并且介绍了电子束的产生、偏转、曝光过程以及电子束的束斑类型以及扫描方式;分析了影响电子束曝光分辨率的关键参数以及邻近效应对...
关键词：电子束直写曝光 邻近效应 光刻工艺 
基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2019年第3期155-158,193,共5页张政 焦芳 吴少兵 张凯 李忠辉 陆海燕 陈堂胜 
报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 G波段 电子束直写 功率放大器 
基于Igor Pro实现的低成本电子束直写微加工被引量：2
《实验室研究与探索》2018年第9期25-28,共4页麦满芳 马信洲 
国家自然科学基金项目(11504242)
电子束直写在微纳加工领域有着非常广泛的应用。为了能够实现低成本电子束直写微加工,提出了一个基于Igor Pro的简易方法,此方法的工作原理是通过编写Igor Pro程序控制NI PCI-6251多功能板卡的电压输出,从而控制电子束的运动以实现微纳...
关键词：微加工 电子束直写 Igor Pro程序 虚拟仪器 金微米结构 
Ka波段GaN单片低噪声放大器研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第2期81-84,94,共5页吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
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