李建平

作品数：17被引量：39H指数：4
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：低噪声放大器GAN微波单片集成电路单片低噪声放大器GAAS更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《电子与封装》《微波学报》《稀有金属》更多>>
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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制被引量：1
《微波学报》2024年第3期85-89,共5页舒畅 彭龙新 李建平 贾晨阳 洪伟 
国家自然科学基金(62293492);2011协同创新中心项目(2242022k60008)。
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低...
关键词：限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化 
基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制
《固体电子学研究与进展》2021年第1期14-17,23,共5页张亦斌 吴少兵 李建平 韩方彬 李忠辉 陈堂胜 
报道了基于AlN/GaN异质结的Ka波段低噪声放大器的研制结果。在SiC衬底上生长AlN/GaN异质结材料结构,采用电子束直写工艺制备了栅长70 nm的"T"型栅结构。器件最大电流密度为1.50 A/mm,最大跨导为650 mS/mm,通过S参数测试外推特征频率和...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
100 nm GaN基6～18 GHz低噪声放大器的研制被引量：3
《电子与封装》2019年第9期28-31,47,共5页李建平 吴少兵 
基于南京电子器件研究所的100nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了6~18GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构,偏置电压为12V,电流约为70mA时,在6~18GHz频带内噪声系数小于1.7dB,增益大于25dB,驻波比小于2,1 dB增...
关键词：氮化镓 宽带 低噪声放大器 
毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2019年第3期169-173,共5页贾晨阳 彭龙新 刘昊 凌志健 李建平 韩方彬 
设计了一款毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器。限幅器采用两级反向并联二极管结构,通过优化限幅器匹配电路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅电路的插损。低噪声放大器为四级级联设计,输入端采用最小噪声匹配,偏置电路增加RC串联谐振电路...
关键词：毫米波 限幅低噪声放大器 PIN二极管 pHEMT晶体管 
L波段载板式双平衡限幅低噪声放大器
《固体电子学研究与进展》2018年第4期257-261,共5页李建平 凌志健 
设计了L波段PIN限幅器芯片和低噪声放大器芯片,并将这两种芯片集成在载板上,组成小尺寸双平衡限幅低噪声放大器。低噪声放大器采用负反馈结构,降低噪声系数和改善增益平坦度。采用双平衡式结构,提高限幅器的功率容量,提高了1dB增益压缩...
关键词：L波段 载板式 双平衡 限幅低噪声放大器 
Ka波段GaN单片低噪声放大器研制被引量：3
《固体电子学研究与进展》2018年第2期81-84,94,共5页吴少兵 李建平 李忠辉 高建峰 黄念宁 
报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 KA波段 电子束直写 低噪声放大器 
Ku波段GaN一片式收发组件芯片被引量：2
《固体电子学研究与进展》2017年第1期1-5,31,共6页任春江 彭龙新 戈勤 沈宏昌 潘晓枫 李建平 李忠辉 陈堂胜 
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪声放大器、后级低噪声放大器...
关键词：氮化镓 KU波段 收发 一片式收发组件芯片 
Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第3期257-,共1页彭龙新 任春江 戈勤 詹月 沈宏昌 李建平 彭建业 徐波 
<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移...
关键词：低噪声放大器 移相器 接收通道 功率附加效率 功率开关 Ku波段GaN T/R MMIC 噪声系数 占空比 衰减器 
带数字驱动的高集成2～18GHz时延放大多功能MMIC被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第3期241-245,共5页潘晓枫 李建平 李小鹏 彭建业 
基于E/D15PHEMT工艺研制了一款2~18GHz用于相控阵雷达的时延放大多功能MMIC芯片。本芯片是一款集成了放大器、单刀双置开关、六位大波长时延器、数字驱动器等功能的多功能芯片,芯片尺寸为5mm×5mm。测试结果表明:发射接收增益皆大于-2dB...
关键词：相控阵 多功能微波单片集成电路 时延精度 数字驱动器 
X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第1期16-19,共4页周建军 彭龙新 孔岑 李忠辉 陈堂胜 焦刚 李建平 
采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27...
关键词：低噪声放大器 微波单片集成电路 氮化镓高迁移率晶体管 
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