MMIC

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有源相控阵雷达超宽带高精度延时组件的设计
《电子制作》2024年第24期6-10,共5页赵建博 赵宇 张帅 
本文介绍了一种超宽带(2~12GHz)小而轻的四通道延时组件的设计和实现。该组件集成5位延时MMIC芯片以及收发增益补偿。组件尺寸为88×25×10mm^(3),重量55g。根据测试结果,延时组件接收增益为-2.5dB±2.5dB,发射功率为12dBm±2dBm,延时...
关键词：毫米波 延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路(MMIC) 
超宽带高线性Sub6G增益模块
《成都信息工程大学学报》2024年第5期567-570,共4页王慷 
基于2μm GaAs HBT(砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计一款单片微波集成电路射频放大器芯片。整个电路采用达林顿拓扑结构,并在片上实现输入输出匹配。针对达林顿结构放大器线性度低的问题,通过设计有源偏置,提高芯片线性度和输出功率...
关键词：达林顿放大器 HBT 宽带 有源偏置 MMIC 
K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计
《电子技术（上海）》2024年第8期53-55,共3页廖学介 王测天 刘莹 羊洪轮 王为 邓春 蒋汶兵 
阐述一款K_Ka频段MMIC宽带无源混频器芯片的设计。芯片采用无源双平衡混频器结构,本振和射频的巴伦为螺旋Marchand巴伦。关键技术指标表现出色,芯片尺寸仅为1.15mm×0.8mm×0.1mm,实现了小型化。通过精心设计与优化,该混频器芯片在宽频...
关键词：电路设计 MMIC 宽带 无源双平衡混频器 螺旋Marchand巴伦 
X波段超低功耗限幅低噪声放大器芯片的设计
《电子技术（上海）》2024年第8期56-58,共3页王测天 廖学介 刘莹 王为 羊洪轮 童伟 
阐述基于GaAs工艺开发一款9~10.2GHz限幅低噪声放大器单片微波集成芯片(MMIC)。该芯片限幅器基于I-Layer 1μm厚度的PIN二极管工艺,低噪声放大器基于增强型E-pHMET工艺,并将先限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,实现一片式开发。该MMI...
关键词：电路设计 GaAsE-pHEMT PIN 限幅低噪放 MMIC 超低功耗 
一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第7期642-647,共6页杨卅男 李通 蔡道民 
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功...
关键词：紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC) 
W波段高功率放大模块研究
《微波学报》2024年第S1期101-104,共4页张月肖 张勇 祝思雨 朱华利 
本文主要设计了一款基于GaN MMIC的W波段功率放大模块,该模块主要由功放芯片,弯折波导探针结构和电源偏置PCB板组成。作者首先对弯折波导探针过渡结构进行仿真,仿真结果显示该过渡结构在W全频带回波损耗优于22dB;然后设计腔体结构和电...
关键词：W波段 GaN MMIC 弯折探针过渡 高功率 
V波段2W高效率GaN功率放大器MMIC的研制被引量：1
《通讯世界》2024年第6期10-12,共3页高茂原 
由于氮化镓(GaN)具有高功率密度特性,因此GaN功率放大器在毫米波领域得到快速发展,其性能不断提升。基于此,采用0.13μm GaN工艺,研制了一款V波段高效率的GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC),对0.13μm GaN工艺和器件进行阐述。对功...
关键词：V波段 高功率 高效率 功率放大器 MMIC 
基于GaN的Ku波段四通道T/R组件设计
《火控雷达技术》2024年第2期90-95,共6页李宁 陈福媛 王洁 廖原 张生春 
本文介绍了一种基于GaN功放芯片的Ku波段四通道T/R组件。该组件具有高效率、高集成、小体积、重量轻、模块化等特点。文章从T/R组件射频链路框架、收发通道指标推算、射频转接仿真方面进行阐述。最终测试结果显示,该组件在2GHz工作带宽...
关键词：KU波段 T/R组件 GAN MMIC 
0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
《固体电子学研究与进展》2024年第2期125-130,共6页郝翔 王维波 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提...
关键词：超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓 
一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第4期360-364,共5页高哲 范一萌 万悦 
基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成...
关键词：V波段 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高效率 功率合成 
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