功率附加效率

作品数：144被引量：163H指数：5
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一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第7期642-647,共6页杨卅男 李通 蔡道民 
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功...
关键词：紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC) 
7~13 GHz宽带高效率驱动放大器设计
《现代信息科技》2024年第5期73-76,80,共5页豆兴昆 李彬 谭小媛 蒋乐 叶坤 
基于0.25μm GaAs PHEMT工艺设计了一款7~13 GHz微波单片高效率驱动放大器。芯片采用两级级联拓扑结构,在输入级引入共源并联负反馈结构拓宽工作带宽,同时为兼顾输出功率和效率,在输出级引入等效RC模型拟合输出管芯的最优阻抗。基于等...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 驱动放大器 功率附加效率 并联负反馈 阻抗匹配 
一种高性能功率放大器-圆极化天线的一体化设计
《微波学报》2024年第1期34-38,59,共6页邱俊杰 尤阳 陆云龙 黄季甫 
国家重点研发计划(2018YFB1802100);国家自然科学基金(62171242,61801252,U1809203,61631012);广东省重点领域研发计划(2019B010156004);浙江省省属高校基本科研业务费专项资金(SJLY2020001)。
本文设计了一种具有圆极化辐射特性的高性能功率放大器-天线一体化电路。通过直接优化圆极化天线的输入阻抗,使之与消除输出匹配网络的功放电路直接集成。这种无缝集成方式不仅有效减少了插入和失配损耗以及整体电路尺寸,而且提高了整...
关键词：功放-圆极化天线一体化 圆极化天线 功率附加效率 轴比带宽 
基于GaAs工艺的Ku波段功率放大器设计
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2023年第6期13-19,共7页李圣麒 韩磊 苏国东 王翔 刘军 
本文研制一款12 GHz~18 GHz的Ku波段三级功放(功率放大器,Power Amplifier)。该电路采用三级级联拓扑结构,利用双L型结构有耗匹配网络设计每一级晶体管的输入/级间匹配,通过输出匹配将端口阻抗与最佳负载阻抗进行匹配,实现12 GHz~18 GH...
关键词：GaAs 功率放大器 KU波段 驻波比 带内平坦度 饱和功率 功率附加效率 
级联PA的效率优化策略及其在55nm CMOS E波段PA中的应用
《固体电子学研究与进展》2023年第4期341-346,共6页方宗华 黄磊磊 刘博晓 石春琦 张润曦 
中央高校基本科研业务费专项资金资助(40500-20103-222178);上海市科委资助项(22DZ2229004)。
根据多级功率合成功率放大器(PA)的功率附加效率(PAE)公式,对效率进行理论计算分析,得出了以下效率优化策略:在级联功率合成功放的最后一级放置功率分配器可以提供最优的整体PAE,优化最后一级有源或无源器件对整体PAE的改善最为显著。...
关键词：功率放大器 功率附加效率 效率优化 毫米波 
2~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第8期1054-1058,1064,共6页邬佳晟 蔡道民 
国家核心器件资助项目(2017ZX03001024)。
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配...
关键词：紧凑 功率附加效率 宽带 增益 微波单片集成电路 
应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件
《红外与毫米波学报》2023年第3期339-344,共6页陈晓娟 张昇 张一川 李艳奎 高润华 刘新宇 魏珂 
Supported by the National Natural Science Foundation of China (61822407,62074161,62004213);the National Key Research and Development Program of China under (2018YFE0125700)。
本文采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)生长的SiN_(x)栅介质制备了宽带应用的AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs),并在直流、小信号及大信号测试中评估了该介质层对器件性能的提升。测试结果表明改进器件具有高...
关键词：MIS-HEMTs SiN_(x)栅介质 功率附加效率 栅压摆幅 宽带 
高效率双频连续F类功率放大器的设计被引量：1
《电子元件与材料》2023年第1期88-95,共8页王帅 段亚朋 毋皓 安万通 李晓明 
河南省高等学校重点科研项目资助(17A510002)。
为满足多标准和多频段无线通信的需求,针对特定频段如何提高效率问题,基于连续F类功放的谐波控制理论,提出了一种高达三次谐波控制的双频功放设计方法,实现了两个频段的高效率性能。首先,分析了电流源平面的各次谐波阻抗,基于连续F类阻...
关键词：连续F类 双频功放 双频谐波控制 双频基波匹配 高效率 功率附加效率 漏级效率 
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
《微电子学》2022年第6期961-966,共6页张盼盼 王德勇 张金灿 王金婵 刘敏 刘博 
国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049);河南省科技攻关项目(212102210286)
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F^(-1))类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构。首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度。其次,为了解决寄生参数对F^(-1)...
关键词：逆F类 GaN HEMT MMIC 功率附加效率 
基于开关多模式的Doherty射频功率放大器设计
《电子技术应用》2022年第7期105-109,113,共6页蔡俊祺 卜刚 
在工作频率为2.4 GHz的背景下,基于所设计的Doherty功率放大器,设计了一种改进的多模开关控制和包络跟踪调制的Doherty功率放大器。设计中使用的电子管是Renesas的GaAs晶体管NE6510179A。设计的Doherty峰值输出(32.0 dBm)时功率附加效...
关键词：射频功率放大器 Doherty结构 功率附加效率 线性度 
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