蔡道民

作品数：24被引量：41H指数：4
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：单片集成功率放大器烟具功率附加效率微波加热更多>>
发文领域：电子电信文化科学轻工技术与工程农业科学更多>>
发文期刊：《半导体技术》《红外与激光工程》《科学通报》《电子制作》更多>>
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基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器
《半导体技术》2025年第3期289-295,共7页李俊敏 刘英坤 李通 蔡道民 
为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容...
关键词：谐波阻抗匹配 漏极效率 GAN HEMT 功率放大器 
一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC
《半导体技术》2024年第7期642-647,共6页杨卅男 李通 蔡道民 
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功...
关键词：紧凑型 X波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC) 
基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器被引量：1
《电子与封装》2023年第10期76-80,共5页贾玉伟 唐中强 蔡道民 薛梅 李展 
为满足自动增益控制(AGC)电路中对电调衰减器小型化的需求,采用4个P型-本征-N型(PIN)二极管构成的对称式Π型衰减网络,通过电路设计和基板塑封工艺,实现了一种小型化宽带电调衰减器。电调衰减器采用2.7 V电源供电,采用1.0~5.0 V控制电...
关键词：小型化 宽带 电调衰减 P型-本征-N型(PIN)二极管 Π型衰减网络 基板塑封 
2~6 GHz紧凑型、高效率GaN MMIC功率放大器被引量：2
《太赫兹科学与电子信息学报》2023年第8期1054-1058,1064,共6页邬佳晟 蔡道民 
国家核心器件资助项目(2017ZX03001024)。
基于0.25μm SiC衬底的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,根据有源器件的G_(max)和输出功率密度,选择末级功率器件尺寸并确定其最优阻抗;采用三级放大器,其栅宽比为1:4:16,实现高功率增益和高效率;利用等Q匹配技术,把偏置电路融入匹配...
关键词：紧凑 功率附加效率 宽带 增益 微波单片集成电路 
Q波段高线性高效率GaN功率放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第7期600-604,616,共6页邬佳晟 蔡道民 高学邦 陈晓宇 
重大科技成果转化专项(222802027)。
针对卫星通信和5G毫米波通信应用,基于深亚微米GaN工艺,开发了一款高功率、高线性和高效率的功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。根据器件的最大增益和负载牵引特性确定末级晶体管的总栅宽;根据增益要求采用4级放大器级联,前级、次前级...
关键词：Q波段 线性度 功率放大器 谐波调谐 预失真 单片微波集成电路(MMIC) 
基于GaN HEMT技术的5G高线性单片集成放大器被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第6期1102-1106,共5页张磊 蔡道民 银军 谭仁超 
基于0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管技术(GaN HEMT),研制了一款5G毫米波通信用高线性单片集成功率放大器。通过优化材料结构,使器件在较宽的栅压动态范围内具有较为平坦的跨导特性;优化设置电路的静态直流工作点,均衡输出功率和线性...
关键词：5G 高电子迁移率晶体管 功率放大器 功率附加效率 
C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第2期248-251,257,共5页刘帅 蔡道民 武继斌 
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率 
26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制被引量：2
《半导体技术》2019年第2期94-98,120,共6页董毅敏 蔡道民 高学邦 邬佳晟 汪江涛 谭仁超 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX03001024)
研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络...
关键词：氮化镓(GaN) 单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA) 负载调制 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
L波段5W InGaP/GaAsHBT功率放大器
《电子制作》2018年第7期14-16,56,共4页游恒果 蔡道民 
InGaP/GaAs HBT具有功率密度大、线性好和阈值电压一致性好等而广泛应用于无线通信终端放大器,本文基于自主HBT工艺技术,借助GaAs MMIC和辅助PCB板外匹配架构,通过选择合适的器件尺寸和偏置条件以及匹配结构,实现高性能的终端放大器。在...
关键词：功率放大器 异质结晶体管 片外匹配 线性 附件效率 
9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量：7
《半导体技术》2017年第7期489-492,498,共5页魏碧华 蔡道民 武继斌 
国家03专项资助项目(2016ZX03001005)
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模...
关键词：增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器 GAAS 功率附加效率(PAE) 
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