武继斌

作品数：7被引量：20H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：功率放大器技术X波段GANPHEMT更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《半导体技术》《Journal of Semiconductors》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
所获基金：河北省自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
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C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第2期248-251,257,共5页刘帅 蔡道民 武继斌 
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率 
9～15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器被引量：7
《半导体技术》2017年第7期489-492,498,共5页魏碧华 蔡道民 武继斌 
国家03专项资助项目(2016ZX03001005)
基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用栅宽比为1∶4.4的两级放大结构保证了电路的增益和功率指标满足要求;基于大信号模...
关键词：增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器 GAAS 功率附加效率(PAE) 
一种鱼骨型GaN HEMT分布式模型
《半导体技术》2014年第9期671-673,698,共4页胡志富 崔玉兴 杜光伟 方家兴 武继斌 蔡树军 
基于传输线理论,推导了GaN HEMT沟道分布式等效电路模型,为有效提取GaN HEMT小信号模型参数提供了依据。设计了一种新颖的鱼骨型GaN HEMT器件结构,由于采用了较短的栅指,非常有利于纵向散热,与常规型HEMT器件结构相比,热阻有了明显改善...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 模型 鱼骨型 分布式 
L波段高效率内匹配GaN HEMT被引量：7
《半导体技术》2014年第7期512-515,共4页银军 武继斌 张志国 高学邦 吴洪江 
研究了一种基于国产SiC衬底的L波段GaN高效率内匹配器件。利用在片微波测试和直流测试相结合方法获得器件的小信号模型,外推得到大信号模型,并进行负载牵引方法验证。在此基础上设计两胞匹配电路,采用电感-电容匹配网络,器件阻抗提升到1...
关键词：GAN HEMT 内匹配 L波段 功率 高效率 
S波段大功率GaAs PHEMT单片放大器被引量：2
《微纳电子技术》2011年第8期489-493,共5页武继斌 吴洪江 张志国 高学邦 
GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信...
关键词：AlGaAs/InGaAs PHEMT 单片功率放大器 大功率 S波段 
X波段PHEMT功率单片放大器被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1800-1803,共4页张书敬 杨瑞霞 武继斌 杨克武 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2004000078)~~
报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益...
关键词：PHEMT X波段 MMIC 功率放大器 
X波段功率单片放大器的研制被引量：2
《半导体技术》2005年第12期60-62,共3页王同祥 武继斌 张务永 
国防科技重点实验室基金项目(51433050103DZ230;51432050103DZ2301)
介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动...
关键词：功率单片放大器 器件模型 砷化镓 
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