X波段功率单片放大器的研制  

Development of X-Band GaAs MMIC Power Amplifier

作　　者：王同祥[1] 武继斌[1] 张务永[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》2005年第12期60-62,共3页Semiconductor Technology

基　　金：国防科技重点实验室基金项目(51433050103DZ230;51432050103DZ2301)

摘　　要：介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1。The design, fabrication and performance of a newly developed two-stage X-band MMIC power amplifiers are described, including the big signal model extracting. The terminals of input and output were matched to 50Ω, The chips of MMIC were fabricated and its RF measurements are Pout ≥5W, ηadd ≥33%, △Gp≥13.5dB, Gp≤±0.3dB, VSWRin≤2：1.

关 键 词：功率单片放大器 器件模型 砷化镓 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]