X波段PHEMT功率单片放大器  

An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier

作　　者：张书敬[1] 杨瑞霞[1] 武继斌[2] 杨克武[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第10期1800-1803,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(批准号:F2004000078)~~

摘　　要：报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.This paper describes the design, fabrication, and performance of an X-band 8 W AIGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC power amplifier. With a two-stage topology design, this amplifier is designed to fully match a 50Ω input and output impedance.The area of chip is 4. 5mm × 3mm. With 7. 5V and 1.5A DC bias conditions,an output power of 8W,power added efficiency of 30% ,and power gain of 15dB are achieved.

关 键 词：PHEMT X波段 MMIC 功率放大器 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]