PHEMT

作品数：278被引量：277H指数：7
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化合物器件高加速温湿度应力(HAST)能力现状研究
《现代信息科技》2024年第8期79-82,88,共5页黄琴琴 石君 
文章基于GaAs pHEMT晶圆工艺现状,根据不同材料特性,从芯片设计、晶圆制程控制、封装材料选择三个维度进行了研究,报告了针对类似材料组合相对复杂的化合物半导体工艺器件在高加速温湿度应力(HAST)能力方面所面临的现状。同时,通过典型...
关键词：化合物半导体 砷化镓 PHEMT HAST 耐湿热能力 
X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
《半导体技术》2023年第8期706-712,共7页李远鹏 陈长友 刘会东 
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器 
Ka波段高隔离单刀四掷开关芯片
《通信电源技术》2023年第10期11-13,共3页屈晓敏 段磊 郭跃伟 崔健 
文章基于赝高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计一款Ka波段单刀四掷反射式开关芯片。为降低芯片插入损耗和提高隔离度,电路选取并联型反射式拓扑结构。同时,为提高工作带宽和减小芯片...
关键词：赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) KA波段 单刀四掷 低插损 高隔离度 
基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器
《半导体技术》2023年第4期324-327,352,共5页王朋 韦雪真 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,...
关键词：开关滤波器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺 带通滤波器 译码器 宽带 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计
《通信电源技术》2023年第5期23-26,共4页杨柳 
设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 
0.8~18 GHz放大衰减多功能芯片
《现代信息科技》2023年第2期53-56,共4页刘莹 廖学介 邬海峰 王测天 滑育楠 
文章介绍了基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的0.8~18GHz放大衰减多功能芯片的设计,给出了在片测试结果。该芯片集成了共源共栅行波放大单元、三位数控衰减单元和三位并行驱动单元,在0.8~18GHz的超宽带频率范围内,噪声系数典型值≤4.5 dB,增益...
关键词：PHEMT 0.8~18 GHz 放大衰减多功能芯片 
GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理被引量：3
《现代应用物理》2022年第3期141-149,共9页安琪 柴常春 李福星 吴涵 杨银堂 
国家自然科学基金资助项目(61974116)。
利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁脉冲 低噪声放大器 损伤效应 
0.8~3.2 GHz 6 bit MMIC数字移相器的设计与实现被引量：1
《半导体技术》2022年第4期320-324,共5页王坤 周宏健 周睿涛 李光超 苏郁秋 
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8~3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器。该移相器的5.625°、11.25°和22.5°移相单元采用开关选择型全通/T型低通网络拓扑结构,45°、90°和180°移...
关键词：移相器 GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 超宽带(UWB) 高精度 全通网络(APN) 低通网络(LPN) 
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