魏洪涛

作品数：20被引量：56H指数：5
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：微波单片集成电路MMIC微波加热GAAS多功能芯片更多>>
发文领域：电子电信电气工程文化科学轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《通讯世界》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
基于InP DHBT工艺16 GS/s采样跟随放大器的设计
《通讯世界》2022年第6期4-6,共3页李哲 许春良 魏洪涛 方园 刘会东 李远鹏 
为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(track-and-hol...
关键词：磷化铟 异质结双极型晶体管 采样跟随放大器 ADC THD 
基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2022年第3期237-242,共6页许春良 李明 王雨桐 魏洪涛 
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计...
关键词：GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 
一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器被引量：2
《半导体技术》2020年第12期931-935,956,共6页刘会东 朱宝石 朱思成 魏洪涛 
基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹...
关键词：低噪声放大器(LNA) 氮化镓(GaN) 微波单片集成电路(MMIC) 毫米波 超宽带 
Q波段双通道幅度控制多功能芯片被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2020年第5期946-950,共5页刘会东 丁红沙 魏洪涛 
设计了一款Q波段的双通道多功能单片电路,其内部集成了威尔金森功分器、六位0.5 dB步进数控衰减器和单刀双掷开关。在设计过程中,开关单元电路采用三级并联结构,有效降低电路插入损耗,提高隔离度;数控衰减器单元采用多节并联T型结构,改...
关键词：Q波段 双通道 多功能 衰减器 砷化镓 
31～38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第1期169-173,共5页韩芹 刘永强 刘会东 魏洪涛 
为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38GHz频段的毫米波宽...
关键词：功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 高效率 单片集成电路 
K波段高效率GaAs收发一体多功能芯片被引量：5
《电子元件与材料》2018年第7期40-45,共6页韩芹 刘会东 刘如青 曾志 魏洪涛 
研制了一款K波段(23~25 GHz)收发一体化多功能芯片。该芯片集成了单刀双掷开关(SPDT)、接收支路低噪声放大器和发射支路高效率功率放大器。为兼顾低噪声和高效率功率特性,对电路的拓扑结构进行了优化选择和设计。在器件特征工作频点,采...
关键词：GAAS 多功能芯片 K波段 单片集成电路 噪声 效率 
带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量：5
《半导体技术》2016年第7期499-503,共5页张滨 李富强 杨柳 魏洪涛 方园 
采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动 数控衰减器 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 均方根(RMS)误差 
6-18 GHz宽带驱动放大器的研制被引量：3
《半导体技术》2016年第6期425-428,480,共5页李远鹏 赵炳忠 魏洪涛 刘永强 
基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6-18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,＋5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路结构,级间采用有耗匹配结构实现工作带宽。为了实现较高的工作效率,对输出级器件进行了负载牵引仿真,确...
关键词：GAAS 宽带 效率 驱动放大器 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 
一款超宽带低噪声放大器MMIC被引量：3
《半导体技术》2016年第4期276-279,共4页李远鹏 魏洪涛 刘永强 
基于GaAs PHEMT工艺,采用共源共栅宽带匹配结构,设计制作了1~12 GHz低噪声放大器单片电路。芯片采用双电源供电,可以通过改变栅压实现增益调整。测试结果表明,在1~12GHz频率范围内,增益大于14dB,增益平坦度小于±0.5 dB,噪声系数小于2dB...
关键词：GAAS 共源共栅 超宽带 低功耗 低噪声 
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