异质结双极型晶体管

作品数：48被引量：78H指数：4
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相关机构：西安电子科技大学中国科学院微电子研究所北京工业大学南京电子器件研究所更多>>
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一种改善IMD3的高线性射频功率放大器
《电子元件与材料》2024年第7期872-877,共6页张超然 杨以俊 孙晓红 
国家自然科学基金(62104167)。
基于2μm砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)工艺成功设计出了一款工作在2.4 GHz的高线性、高效率的射频功率放大器(RF PA)。针对非线性因素三阶交调失真(IMD3)对电路造成的影响,采用了一种两级功放电路结构,通过对两级偏置中的旁路电...
关键词：三阶交调失真 射频功率放大器 高线性度 异质结双极型晶体管 
基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
《强激光与粒子束》2024年第1期30-36,共7页张津豪 苏江涛 谢炜誉 邵世缘 徐魁文 李文钧 
国家自然科学基金项目(62293493);科技部重点研发计划(2020YFB1804903)。
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波...
关键词：负载失配 波形测试 异质结双极型晶体管 电磁安全防护 
基于InP DHBT工艺16 GS/s采样跟随放大器的设计
《通讯世界》2022年第6期4-6,共3页李哲 许春良 魏洪涛 方园 刘会东 李远鹏 
为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(track-and-hol...
关键词：磷化铟 异质结双极型晶体管 采样跟随放大器 ADC THD 
InP基HBT小信号模型参数直接提取方法被引量：2
《半导体技术》2020年第8期602-608,644,共8页徐坤 张金灿 王金婵 刘敏 刘博 
国家自然科学基金资助项目(61804046,61704049);河南省科技攻关项目(202102210322)。
为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄...
关键词：异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路 直接提取 剥离算法 INP 
InP HBT小信号建模与参数提取分析被引量：1
《微波学报》2020年第S01期187-189,共3页蒋巍 陈亚培 张勇 
基于异质结双极型晶体管(HBT)优越的高频性能,精准建模对HBT的使用以及电路设计具有极其重要的指导意义。文中采用UCSD等效电路模型对HBT进行了小信号模型的建立,根据InPHBT在不同偏置下的S参数以及I-V测试结果,利用解析法分析了非线性...
关键词：INP 异质结双极型晶体管(HBT) 小信号 建模 参数提取 
一种改进的InP HBT小信号模型的直接提取法
《红外与毫米波学报》2020年第3期295-299,共5页戚军军 吕红亮 张玉明 张义门 张金灿 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(61851405).
提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生...
关键词：直接提取法 磷化铟异质结双极型晶体管 小信号模型 参数提取 
1.8 GHz Doherty功率放大器小型化技术研究被引量：4
《电子元件与材料》2020年第1期68-73,共6页莫宇 朱彦青 郑远 陈新宇 杨磊 
基于In GaP/GaAs HBT工艺设计了一款工作在1. 8 GHz的三级Doherty功率放大器,第一、二级为驱动级,第三级为Doherty放大器。通过分析Doherty结构,在原有基础上重新设计Doherty电路,使用LC元件替代微带线,减小功率分配网络与合路匹配网络...
关键词：功率放大器 异质结双极型晶体管 多尔蒂结构 小型化 LC元件 微带线 
垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟
《物理学报》2019年第20期123-129,共7页周广正 李颖 兰天 代京京 王聪聪 王智勇 
垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting lasers,VCSELs)和异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT)都是纵向电流器件,可以集成在同一外延片上,通过HBT基极电流调制VCSELs的输出光功率.本文设计了一...
关键词：垂直腔面发射激光器 异质结双极型晶体管 光电集成 
SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理被引量：2
《现代应用物理》2019年第3期29-34,共6页吴涵 柴常春 刘彧千 李赟 杨银堂 
为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率...
关键词：低噪声放大器 异质结双极型晶体管 高功率微波 损伤效应 机理分析 
300GHz InP DHBT单片集成放大器被引量：4
《固体电子学研究与进展》2017年第4期F0003-F0003,共1页孙岩 程伟 陆海燕 王元 常龙 孔月婵 陈堂胜 
太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器...
关键词：DHBT 单片集成放大器 INP 异质结双极型晶体管 功率放大器 SI/SIGE 太赫兹 宽带通信 
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