柴常春

作品数：108被引量：293H指数：10
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发文主题：碳化硅电磁脉冲高功率微波电路电极更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《中国集成电路》《功能材料》《西安电子科技大学学报》更多>>
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p-GaN HEMT强电磁脉冲损伤效应与防护设计研究
《西安电子科技大学学报》2023年第6期34-43,共10页王蕾 柴常春 赵天龙 李福星 秦英朔 杨银堂 
国家自然科学基金(61974116)。
如今,恶劣的电磁环境已经对电子系统的安全构成了严重威胁。氮化镓基高电子迁移率晶体管的优异性能使其更加适合于高功率,高频应用领域。随着晶体外延材料质量的不断提高和器件工艺的改进,氮化镓器件向高功率和小型化方向快速发展,器件...
关键词：氮化镓 电磁脉冲 损伤效应 防护设计 
GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理被引量：3
《现代应用物理》2022年第3期141-149,共9页安琪 柴常春 李福星 吴涵 杨银堂 
国家自然科学基金资助项目(61974116)。
利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁脉冲 低噪声放大器 损伤效应 
CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性被引量：1
《强激光与粒子束》2022年第8期75-83,共9页梁其帅 柴常春 吴涵 李福星 刘彧千 杨银堂 
National Natural Science Foundation of China(61974116)。
随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EM...
关键词：CMOS反相器 电磁脉冲 陷阱辅助隧穿 机理分析 
电磁脉冲对CMOS与非门的干扰和损伤效应与机理被引量：1
《强激光与粒子束》2021年第10期71-78,共8页孙毅 柴常春 刘彧千 李福星 杨银堂 
supported by National Natural Science Foundation of China(61974116)。
利用Sentaurus-TCAD建立了CMOS与非门电路的二维电热模型,仿真研究了在电磁脉冲注入下,CMOS与非门电路产生的扰乱和损伤效应及其机理。结果表明,在EMP注入下,电路输出电压、内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",当注入功率较大时,EMP...
关键词：CMOS与非门 电磁脉冲 干扰效应 损伤效应 脉宽效应 
HEMT器件电磁脉冲毁伤机理仿真分析及试验研究被引量：3
《航空兵器》2020年第3期88-92,共5页安宁 柴常春 刘彧千 
航空科学基金项目(2018ZC12006)。
以强电磁脉冲为典型代表的复杂电磁环境对雷达前端关键模块与器件的可靠性不断构成威胁。本文对雷达前端电路中低噪声放大器的关键器件——GaAs HEMT进行了强电磁脉冲效应仿真研究与试验验证。利用仿真软件构建了GaAs HEMT的二维热电模...
关键词：低噪声放大器 强电磁脉冲 HEMT器件 功率阈值 能量阈值 电磁毁伤 
机载线缆的强电磁脉冲耦合效应被引量：4
《现代应用物理》2020年第2期15-21,共7页姬壮壮 柴常春 史春蕾 刘彧千 杨银堂 
国家自然科学基金资助项目(61974116)。
建立了4种典型的机载线缆模型,使用CST软件对强电磁脉冲(EMP)辐照环境下线缆的耦合情况进行研究。首先,研究了机载线缆在理想环境中的耦合规律;其次,对舱室内部线缆的耦合进行仿真分析;最后,研究了浪涌保护器件对EMP的防护作用。仿真结...
关键词：线缆 电磁脉冲 电磁耦合 浪涌防护 瞬态电压抑制 
AOT控制的降压型转换器的稳定性分析
《微电子学》2019年第6期829-833,共5页徐婷婷 柴常春 王艳秀 刘彧千 
国家自然科学基金资助项目(61634004)
为了保证自适应导通时间控制的降压型转换器能在输入电压全范围内正常工作,通过理论分析和时域推导,研究了输出电容的ESR对系统稳定性的影响。结果表明,只有ESR足够大,才能保证其电压变化率大于输出电容电压变化率,从而保证系统的稳定...
关键词：降压型转换器 自适应导通时间 等效串联寄生电阻 稳定性 
一种增强BOOST转换器抗干扰能力的电路设计被引量：1
《西安邮电大学学报》2019年第5期53-58,共6页姜婵荣 柴常春 韩晨曦 
国家自然科学基金资助项目(61974116)
针对自适应导通时间控制下的BOOST转换器在外界条件变化或者负载电流发生跳变时可能出现的异常工作状态,提出了一种提高其抗干扰能力的电路设计方案。通过在BOOST电源管理芯片的自适应导通定时器内增加一个由复位端和置位端信号同时控...
关键词：BOOST转换器 抗干扰 恒定频率 
JFET的HPM及EMP损伤效应和机理分析被引量：2
《现代应用物理》2019年第3期22-28,共7页李赟 柴常春 李阳 吴涵 杨银堂 
中国工程物理研究院综合电磁环境科学技术重点实验室开放基金资助项目(2015-0214.XY.K)
建立了N型结场效应晶体管(JFET)在电磁干扰下的2维电热模型,在栅极分别注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时,对工作在饱和区的JFET晶体管的瞬态响应进行了仿真分析。结果表明,注入HPM时,器件内部的峰值温度呈周期性的"升高-下降-升...
关键词：结型场效应晶体管 高功率微波 电磁脉冲 损伤效应 脉宽效应 
SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理被引量：2
《现代应用物理》2019年第3期29-34,共6页吴涵 柴常春 刘彧千 李赟 杨银堂 
为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率...
关键词：低噪声放大器 异质结双极型晶体管 高功率微波 损伤效应 机理分析 
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